时间：2025/9/9 5:07:20
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RCH664NP-560K是一款由Rochester Electronics生产的高性能、高稳定性的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率电源转换和功率管理应用设计，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和优异的热稳定性。该MOSFET采用TO-220封装形式，便于安装和散热，适用于各种工业和消费类电子设备。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：19A（Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：最大56mΩ（@Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：60W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-220
RCH664NP-560K具有极低的导通电阻，这使得它在高电流应用中具有更低的功率损耗和更高的效率。其优化的栅极设计确保了快速开关性能，从而减少了开关损耗，提高了系统响应速度。此外，该器件具有出色的热稳定性，即使在高负载条件下也能保持稳定的性能。RCH664NP-560K的封装设计考虑了良好的散热性能，适合用于需要长时间连续工作的电源系统。
该MOSFET的另一个重要特性是其高耐压能力，能够承受瞬态电压波动而不发生损坏。这种特性使其非常适合用于电源适配器、DC-DC转换器、电池管理系统和电机控制等应用。此外，RCH664NP-560K还具有良好的抗雪崩能力，可在过压或短路条件下提供额外的保护。
RCH664NP-560K广泛应用于各种电源管理领域，包括开关电源（SMPS）、同步整流器、负载开关、电池充电器、DC-DC转换器、电机驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高可靠性和良好的热管理性能，该器件也适用于汽车电子系统和高要求的工业控制系统。
IRFZ44N, STP19NK60Z, FDP6640, SiHF664
