电容值：6.8μF (6R8)
　　 额定电压：25V
　　 容差：±20%
　　 介质材料：X5R/X6S
　　 封装尺寸：1210 (3225公制)
　　 工作温度范围：-55°C ~ +85°C / -55°C ~ +105°C
　　 绝缘电阻：10,000MΩ min.
　　 最大纹波电流：依据具体应用条件

RCH110CNP-6R8M 多层陶瓷电容器采用了先进的陶瓷介质和电极结构设计，具备优异的温度稳定性与频率响应特性。其介质材料（如X5R或X6S）在较宽的温度范围内能够保持电容值的相对稳定，确保电路在不同环境条件下仍能正常工作。此外，该电容器具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有助于减少电路中的高频噪声和纹波，提高电源系统的稳定性和效率。在结构上，RCH110CNP-6R8M 采用多层堆叠工艺，使电容器能够在较小的封装尺寸内实现较高的电容值，满足高密度电路设计的需求。该器件还具备良好的机械强度和焊接可靠性，适合SMT工艺，提高了生产效率和产品一致性。在可靠性方面，RCH110CNP-6R8M 经过严格的测试和验证，具备较长的使用寿命和稳定的电气性能，可在复杂电磁环境和恶劣工作条件下保持良好的工作状态。

RCH110CNP-6R8M 多层陶瓷电容器广泛应用于各类电子设备中，尤其适合对电容稳定性和可靠性有较高要求的场景。在电源管理电路中，该电容器常用于输入/输出滤波、去耦和储能，以提高电源的稳定性和降低噪声。在射频（RF）电路中，RCH110CNP-6R8M 可作为旁路电容，有效滤除高频干扰信号，确保信号的纯净度。此外，该器件还常用于工业控制设备、通信模块、消费类电子产品（如智能手机、平板电脑）和汽车电子系统中，为各类IC提供稳定的去耦支持，并优化系统的电磁兼容性（EMC）性能。

GRM319R61E6R8MA01K (Murata)
　　 C1210X5R1E6R8M
　　 CL21B684KOQNNNE