型号：RCD100N20
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源击穿电压（BVDSS）：200V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：3.0V ~ 5.0V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤12mΩ @ VGS=10V, ID=50A
　　最大漏极电流（ID）：100A（连续）
　　脉冲漏极电流（IDM）：320A
　　最大耗散功率（PD）：350W
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　栅源电压（VGSS）：±20V
　　输入电容（Ciss）：约6800pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：约1100pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：典型值75ns
　　封装形式：TO-247

RCD100N20采用先进的沟槽栅极技术和超结结构设计，显著降低了导通电阻与开关损耗之间的权衡，从而实现更高的能效表现。其低RDS(on)特性使得在大电流应用中功耗更小，有助于提升整体系统的热管理效率，并减少散热器尺寸与成本。该器件具备优异的开关速度，得益于较低的栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），能够在高频PWM控制下实现快速响应，适用于高达数百kHz的开关频率场景，如LLC谐振变换器、有源钳位反激电源等先进拓扑结构。
　　该MOSFET具有较强的抗雪崩能力和重复性雪崩能量（EAS）耐受性，可在突发短路或感性负载断开时有效防止器件损坏，提高整个电力电子系统的安全性和可靠性。同时，其内部寄生二极管具有较短的反向恢复时间与较低的反向恢复电荷（Qrr），减少了体二极管在续流过程中的损耗与噪声干扰，特别适合于同步整流与半桥/全桥拓扑中作为主开关使用。
　　在工艺方面，RCD100N20通过严格的晶圆制造与封装测试流程，确保批次一致性与长期可靠性。器件符合RoHS环保标准，并具备高抗湿性与机械强度，适应多种恶劣工作环境。其TO-247封装提供了优良的热传导路径，便于安装至散热器上进行强制风冷或自然冷却，保障长时间满负荷运行下的结温处于安全范围内。此外，该器件还具备良好的dv/dt和di/dt抗扰度，避免因电压或电流突变引发误触发或局部热点形成。

RCD100N20广泛应用于各类高功率密度、高效率要求的电力电子系统中。在通信电源领域，它常用于服务器电源、基站电源中的主开关管或同步整流器，支持高效率80 PLUS钛金标准设计；在新能源发电系统中，如光伏并网逆变器和储能变流器（PCS），该器件可用于DC-AC逆变级或MPPT升压电路，提供稳定的高压大电流切换能力。
　　在电动汽车相关设备中，RCD100N20可应用于车载充电机（OBC）、直流快充桩的功率因数校正（PFC）级与DC-DC变换模块，满足宽输入电压范围与高效能量转换需求。工业自动化系统中，该器件被广泛用于电机驱动器、UPS不间断电源、焊接设备和感应加热装置，凭借其高耐压与大电流承载能力，保障复杂工况下的持续稳定运行。
　　此外，在高端消费类电源如大功率LED驱动、激光电源以及医疗电源设备中，RCD100N20也因其高可靠性和紧凑设计优势而受到青睐。其快速开关特性和低电磁干扰（EMI）表现有助于简化滤波电路设计，降低整体系统体积与材料成本。随着碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）器件尚未完全普及的过渡阶段，RCD100N20作为成熟的硅基高压MOSFET解决方案，在性价比与供货稳定性方面仍具有显著竞争力。

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　　 "IRFP4668",
　　 "FDPF100N20S",
　　 "STWA100N20",
　　 "IXFH100N20P"
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