时间：2025/12/25 11:40:29
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RCD080N25TL是一款由安世半导体（Nexperia）生产的高性能N沟道MOSFET，采用先进的Trench肖特基技术制造，专为高效率、高功率密度的电源应用设计。该器件封装在LFPAK56（Power-SO8）封装中，具备优异的热性能和电气性能，适用于各类工业、消费电子以及汽车级应用场景。RCD080N25TL具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力以及良好的开关特性，能够在高温环境下稳定运行。其主要优势在于优化了开关损耗与导通损耗之间的平衡，从而提升整体系统能效。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q101车规认证，适合用于车载电源系统如DC-DC转换器、电机驱动和电池管理系统等。得益于LFPAK56封装的无铅设计和底部散热片结构，RCD080N25TL在PCB贴装时可实现更高的可靠性和更优的散热表现。该器件广泛应用于服务器电源、电信设备、光伏逆变器及电动工具等领域，是替代传统TO-220或DPAK封装MOSFET的理想选择。
型号：RCD080N25TL
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：25V
最大栅源电压(VGS)：±12V
最大连续漏极电流(ID)：80A
最大脉冲漏极电流(IDM)：240A
导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10V：3.7mΩ
导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5V：4.9mΩ
导通电阻RDS(on) typ @ VGS = 10V：3.2mΩ
阈值电压(VGS(th))：典型值1.5V，范围1.0~2.0V
输入电容(Ciss)：典型值3300pF @ VDS=15V
输出电容(Coss)：典型值1050pF @ VDS=15V
反向恢复时间(trr)：典型值12ns
栅极电荷(Qg)：典型值40nC @ VGS=10V
上升时间(tr)：典型值25ns
下降时间(tf)：典型值20ns
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +175°C
存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +175°C
封装形式：LFPAK56 (Power-SO8)
安装方式：表面贴装(SMT)
RCD080N25TL采用Nexperia先进的沟道MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，确保在大电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统整体效率。其RDS(on)在VGS=10V时最大仅为3.7mΩ，在同类产品中处于领先水平，特别适合用于同步整流、负载开关和高频率DC-DC转换器等对效率要求严苛的应用场景。该器件的栅极电荷Qg仅为40nC左右，意味着驱动所需的能量较少，有助于降低控制器的驱动负担并减少开关过程中的动态损耗。
得益于LFPAK56封装的独特设计，RCD080N25TL实现了卓越的热管理能力。该封装采用铜夹连接技术取代传统的键合线，显著降低了内部寄生电阻和电感，提升了电流传输能力和抗热疲劳性能。同时，底部大面积裸露焊盘可以直接与PCB铜箔接触，实现高效的热量传导，使器件即使在持续高负载下也能维持较低的工作温度。
该MOSFET还具备良好的雪崩耐受能力和抗短路能力，增强了系统的鲁棒性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）使其适用于极端环境条件下的应用，例如汽车引擎舱内或工业高温环境。此外，器件经过严格筛选并通过AEC-Q101认证，满足汽车电子对可靠性的高标准要求。内置体二极管具有较快的反向恢复时间（trr约12ns），可有效减少换流过程中的能量损失，避免因反向恢复引起的电压尖峰问题，从而提升电路稳定性。
RCD080N25TL因其高电流、低RDS(on)和优良热性能，广泛应用于多种高功率密度电源系统中。常见用途包括但不限于：同步降压变换器中的主开关管或整流管，尤其适用于服务器VRM、CPU供电模块等需要高效能转换的场合；在电动汽车的车载充电机（OBC）、DC-DC转换器和电池管理系统（BMS）中作为功率开关元件；用于电动工具、无人机和便携式储能设备中的电机驱动电路，提供快速响应和低功耗控制；在通信基站、UPS不间断电源和光伏微逆变器中实现高效的能量转换与管理；还可作为高电流负载开关用于热插拔电路或电源分配单元中，实现安全可靠的上电控制。此外，由于其SMT封装便于自动化生产，也适用于大规模量产的消费类电子产品主板电源设计。
PMBF180N25L,PSMN0825YCY,IPD082N25N3,NVMFS5C2N25MLA
