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RCD051N20TL 发布时间 时间:2025/5/26 17:14:50 查看 阅读:20

RCD051N20TL是一款N沟道增强型MOSFET,专为高频开关应用设计。该器件采用TO-263封装形式,具备较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于多种功率转换场景。其额定电压为200V,能够承受较大的漏源极电压,同时具有良好的热稳定性和可靠性。

参数

最大漏源电压:200V
  连续漏电流:5.1A
  导通电阻:1.2Ω
  栅极电荷:28nC
  总电容:360pF
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

RCD051N20TL具有较低的导通电阻,可以显著降低功率损耗,从而提升系统效率。
  该器件的快速开关性能使其非常适合于高频DC-DC转换器、逆变器以及其他功率电子应用。
  其采用的TO-263封装形式有助于提高散热性能,并且易于集成到各种电路设计中。
  此外,该MOSFET还具备优异的雪崩能力和环境下保持稳定运行。

应用

该MOSFET广泛应用于开关电源(SMPS)、电机驱动、逆变器、LED照明驱动以及工业自动化设备等领域。
  在汽车电子领域,它也常用于电池管理系统(BMS)、车载充电器(OBC)等需要高可靠性的应用中。
  RCD051N20TL凭借其出色的性能,成为高频功率转换应用的理想选择。

替代型号

RCD051N20TLD
  RFP50N20
  IRFZ44N

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RCD051N20TL参数

  • 现有数量0现货
  • 价格2,500 : ¥2.17032卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)760 毫欧 @ 2.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5.25V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)8.3 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)330 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)850mW(Ta),20W(Tc)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装CPT3
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63