时间：2025/5/26 17:14:50
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RCD051N20TL是一款N沟道增强型MOSFET，专为高频开关应用设计。该器件采用TO-263封装形式，具备较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种功率转换场景。其额定电压为200V，能够承受较大的漏源极电压，同时具有良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：200V
连续漏电流：5.1A
导通电阻：1.2Ω
栅极电荷：28nC
总电容：360pF
工作温度范围：-55℃至175℃
RCD051N20TL具有较低的导通电阻，可以显著降低功率损耗，从而提升系统效率。
该器件的快速开关性能使其非常适合于高频DC-DC转换器、逆变器以及其他功率电子应用。
其采用的TO-263封装形式有助于提高散热性能，并且易于集成到各种电路设计中。
此外，该MOSFET还具备优异的雪崩能力和环境下保持稳定运行。
该MOSFET广泛应用于开关电源(SMPS)、电机驱动、逆变器、LED照明驱动以及工业自动化设备等领域。
在汽车电子领域，它也常用于电池管理系统(BMS)、车载充电器(OBC)等需要高可靠性的应用中。
RCD051N20TL凭借其出色的性能，成为高频功率转换应用的理想选择。
RCD051N20TLD
RFP50N20
IRFZ44N
