RC5037 时间：2025/8/24 14:10:20 阅读：5

RC5037 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于各种中高功率电子系统。

参数

类型：N沟道
　　最大漏极电流：37A
　　最大漏-源电压：30V
　　最大栅-源电压：20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.044Ω
　　功率耗散：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C

特性

RC5037 具有多个优异的电气特性，首先是其低导通电阻（Rds(on)）为 0.044Ω，这使得在导通状态下功率损耗较低，提高了整体效率。其次，该器件的最大漏极电流为 37A，能够承受较大的负载电流，适用于高功率应用场景。RC5037 的最大漏-源电压为 30V，使其能够在中等电压范围内稳定工作。此外，该 MOSFET 的功率耗散能力为 125W，具备良好的散热性能，能够在较高温度环境下运行。
　　该器件采用先进的封装技术，具有优异的热管理能力，有助于延长器件的使用寿命并提高系统可靠性。RC5037 还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、电机控制和负载开关电路等。其栅极驱动电压范围较宽，支持常见的 10V 和 4.5V 驱动电压，便于与各种控制电路兼容。

应用

RC5037 通常用于各种功率电子设备中，如电源适配器、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统等。由于其具备高电流承载能力和低导通电阻，该器件在高效能电源管理方案中表现出色。此外，RC5037 还可用于负载开关、电源分配系统以及汽车电子系统中的功率控制模块。