型号：RC28F640P33TF60A
　　制造商：Intel
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：64 Mbit (8 MB)
　　组织结构：4M x 16 / 8M x 8
　　工艺技术：StrataFlash (MLC NOR)
　　工作电压：3.3V ± 10%
　　接口类型：并行（8/16位）
　　封装类型：56-pin TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　读取访问时间：60ns
　　编程时间：典型70μs/word
　　扇区大小：64 KByte
　　块擦除时间：典型0.8秒/64KB扇区
　　耐久性：100,000次编程/擦除周期
　　数据保持期：10年
　　CFI支持：是
　　JEDEC标准兼容：是

RC28F640P33TF60A具备多项先进特性，使其在嵌入式非易失性存储领域具有显著优势。首先，其采用的StrataFlash技术结合多级单元（MLC）设计，在保持NOR闪存快速随机读取性能的同时，显著提升了存储密度。相比传统单级单元（SLC）NOR闪存，它在相同硅片面积上实现了更高的位密度，从而降低了单位存储成本，适合成本敏感但又需要高性能代码存储的应用场景。
　　其次，该器件支持灵活的总线宽度配置，可在8位和16位模式之间切换，适应不同微处理器或微控制器系统的数据总线需求，增强了系统设计的兼容性和可扩展性。其60ns的快速读取访问时间确保了应用程序代码的高效执行，尤其适用于实时操作系统（RTOS）或需要XIP（eXecute In Place）功能的系统，即直接从闪存运行代码而无需加载到RAM中，节省内存资源并加快启动速度。
　　在可靠性方面，RC28F640P33TF60A内置多种数据保护机制。包括Vpp引脚监控、写保护（WP#）引脚、以及软件命令锁止功能，可有效防止在电源不稳定或系统异常时发生误编程或误擦除操作。此外，其扇区擦除粒度为64KB，支持局部擦除和更新，提高了存储管理的灵活性。每个扇区可承受高达10万次的编程/擦除周期，数据可保持至少10年，满足工业级长期稳定运行的要求。
　　该芯片还支持JEDEC CFI（Common Flash Interface）标准，允许主机系统通过标准命令读取芯片的电气特性、物理布局和定时参数，极大简化了固件开发和多厂商器件替换过程。CFI支持也增强了软件驱动的通用性，降低了系统维护和升级成本。整体而言，这些特性使RC28F640P33TF60A成为工业控制、网络设备、打印机、汽车电子和通信基础设施等领域的理想选择。

RC28F640P33TF60A广泛应用于需要可靠、高速非易失性存储的各种嵌入式系统中。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和工业计算机中，用于存储固件、配置参数和实时操作系统镜像，其高可靠性和宽温工作能力确保在恶劣工业环境中稳定运行。
　　在网络与通信设备中，如路由器、交换机、基站控制器等，该芯片用于存放启动代码（Bootloader）、操作系统映像和网络协议栈，支持快速启动和XIP执行，有助于缩短设备上线时间并提升响应性能。其并行接口提供的高带宽适合频繁读取大量代码的场景。
　　消费类电子产品如多功能打印机、复印机和智能家电也采用此类闪存来存储设备固件和用户界面程序。RC28F640P33TF60A的低成本高密度特性使其在这些批量生产的产品中具有竞争优势。
　　在汽车电子系统中，可用于车身控制模块（BCM）、仪表盘显示单元或车载信息娱乐系统（IVI）中存储静态代码和配置数据。尽管现代汽车更多转向SPI NOR或eMMC/UFS，但在一些老式或特定要求的平台中，此类并行NOR仍具应用价值。
　　此外，医疗设备、测试仪器和军事通信设备等对数据完整性和长期稳定性要求高的领域，也会选用该类经过验证的工业级闪存器件，以确保关键代码不会因环境变化或电源波动而损坏。

S29GL064N90TF104
　　MT28EW64AABA1LPC-0SIT
　　CY16B106VN