RC28F640J3C 时间：2025/12/26 17:27:05 阅读：9

RC28F640J3C是瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的一款并行接口的NOR闪存芯片，属于其高性能、低功耗的浮动栅极多级存储器产品系列。该器件主要面向需要高可靠性代码存储和快速执行能力的应用场景，如工业控制、网络设备、通信基础设施以及嵌入式系统等。RC28F640J3C提供64兆位（即8兆字节）的存储容量，采用标准的48引脚TSOP封装，具备良好的兼容性和可替换性，适用于多种主板设计。
　　这款芯片支持常见的命令集操作，包括读取、编程（写入）、擦除等功能，并可通过硬件或软件方式实现写保护机制，防止关键数据被误修改。其内部结构划分为多个块（block），允许对特定区域进行独立擦除，提高了存储管理的灵活性。此外，RC28F640J3C在设计上注重耐久性和数据保持能力，典型情况下可支持10万次编程/擦除周期，数据保存时间可达20年以上，适合长期运行且维护困难的应用环境。

参数

型号：RC28F640J3C
　　类型：NOR Flash
　　容量：64 Mbit (8 MB)
　　接口类型：并行（Parallel）
　　电压范围：2.7V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：48-pin TSOP Type I
　　访问时间（最大）：70ns / 90ns（根据子型号）
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　擦除方式：扇区擦除与整片擦除
　　写保护功能：支持Vpp和软件写保护
　　总线宽度：x8/x16 可配置
　　JEDEC标准兼容：是
　　待机电流（典型值）：< 100 μA
　　编程电流（典型值）：约 20 mA
　　读取电流（典型值）：约 15 mA

特性

RC28F640J3C具备出色的性能稳定性和环境适应能力，能够在宽电压和宽温度范围内可靠运行，特别适合工业级应用场景。其核心架构基于多级单元（MLC）技术优化后的浮动栅Flash工艺，在保证高密度存储的同时提升了编程效率和耐久性。该芯片支持异步读取模式，允许处理器直接从闪存中执行代码（XIP, eXecute In Place），从而减少对外部RAM的需求，降低系统成本。
　　为了增强系统的安全性与稳定性，RC28F640J3C内置了多种保护机制。例如，通过检测Vpp引脚电压状态，可在加电期间自动启用硬件写保护，防止意外擦除或写入操作。同时，它也支持通过特定的命令序列激活软件写保护功能，使得用户可以根据应用逻辑动态控制存储区域的访问权限。这种双重保护策略有效提升了关键固件的安全等级。
　　在操作方面，RC28F640J3C遵循通用的CFI（Common Flash Interface）标准，能够被主流的开发工具、调试器和烧录设备识别与支持，极大地方便了产品的开发、测试和量产。此外，其命令集与市场主流的Intel StrataFlash和AMD Am29LV系列高度兼容，便于客户在不同供应商之间进行迁移或替代选型。
　　该器件还集成了内部电荷泵电路，用于生成编程和擦除所需的高压信号，无需外部提供高电压电源，简化了电源设计并降低了整体BOM成本。即使在较低的供电电压下，也能确保稳定的编程性能。其快速的读取访问时间（最低70ns）满足高速微处理器或DSP的直接连接需求，适用于实时性要求较高的控制系统。

应用

RC28F640J3C广泛应用于需要非易失性代码存储的嵌入式系统中，典型用途包括网络路由器、交换机、防火墙等通信设备中的引导程序（Bootloader）存储；工业自动化控制器（如PLC）中的固件存储；医疗设备中的配置与校准数据保存；以及测试测量仪器中的操作系统和应用程序代码存放。
　　此外，由于其具备高可靠性和长期数据保持能力，也被用于航空电子、轨道交通控制单元、智能电表等对安全性和寿命要求严苛的领域。在这些应用中，设备往往部署在恶劣环境中，需长时间无故障运行，RC28F640J3C的工业级温度范围和抗干扰设计正好满足此类需求。其并行接口特性使其适用于不追求极致小型化但强调稳定性和兼容性的传统工业平台，尤其适合使用老一代MPU或DSP架构的设计升级项目。