制造商：Intel
　　产品系列：StrataFlash Embedded Memory
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：256 Mbit
　　存储容量（字节）：32 MB
　　电源电压（Vcc）：2.7 V ~ 3.6 V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：48-ball PBGA
　　数据总线宽度：16-bit
　　接口类型：Parallel
　　编程电压：3.0 V
　　访问时间（最大）：120 ns
　　工作电流（典型）：30 mA
　　待机电流（典型）：100 μA
　　技术：MLC (Multi-Level Cell)
　　是否为非易失性：是
　　写保护功能：支持
　　扇区大小：64 KB
　　块数量：512
　　页面大小：64 B

RC28F256M29EWHB采用了英特尔专有的StrataFlash技术，这是一种基于NOR架构的多级单元（MLC）闪存技术，能够在每个存储单元中存储多个数据位，从而在不增加芯片面积的前提下显著提高存储密度。这一特性使得该器件在保持与传统NOR Flash相似性能的同时，提供了更高的性价比，特别适用于对成本敏感但又需要较大代码存储空间的应用。StrataFlash技术通过精确控制浮栅晶体管中的电荷量来实现多级存储，配合复杂的读取和纠错机制，确保数据的准确性与可靠性。
　　该芯片支持全电压范围内的快速随机读取操作，典型访问时间仅为120ns，能够满足实时系统中对指令预取和直接XIP（eXecute In Place）的需求，即允许处理器直接从闪存中执行代码而无需先加载到RAM中，从而节省系统资源并加快启动速度。此外，器件内部集成了智能编程和擦除算法，自动处理电压脉冲调度、定时控制和验证流程，有效减少了外部控制器的干预需求，提高了系统的整体稳定性。
　　为了增强数据完整性，RC28F256M29EWHB内置了错误检测与纠正（ECC）功能，并支持硬件写保护机制，防止因意外写入或断电导致的数据损坏。其512个独立可擦除的64KB扇区设计支持灵活的分区管理和现场固件更新（Field Firmware Update），便于实现增量升级和日志记录功能。同时，该器件具备出色的耐久性指标，典型情况下可支持10万次编程/擦除周期，并能保证在高温环境下长达20年的数据保持能力，适用于长期运行且维护困难的工业和通信设备。
　　在功耗管理方面，该芯片提供多种电源模式，包括主动读取、编程/擦除、自动休眠和深度待机模式，可根据系统状态动态调整能耗。待机电流低至100μA，有助于延长电池供电设备的使用寿命。所有操作均符合JEDEC标准接口规范，兼容广泛的微处理器和控制器平台，简化了系统集成过程。

RC28F256M29EWHB广泛应用于需要可靠、快速、非易失性存储的各种嵌入式系统中。在通信领域，它常被用于路由器、交换机和基站设备中，作为引导程序（Bootloader）、操作系统映像和配置文件的存储介质，得益于其快速启动能力和高数据完整性保障，确保网络设备在上电后能迅速进入正常工作状态。在工业自动化控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和远程I/O模块，该芯片用于存储固件、用户程序和关键参数设置，其宽温特性和抗干扰能力使其能在恶劣工厂环境中稳定运行。
　　此外，在医疗设备、测试测量仪器和航空航天电子系统中，RC28F256M29EWHB也发挥着重要作用，用于保存校准数据、诊断日志和安全认证信息，满足这些行业对长期数据保留和高可靠性的严格要求。由于支持XIP功能，该器件非常适合运行实时操作系统（RTOS）或裸机程序的嵌入式处理器架构，例如基于ARM、PowerPC或MIPS内核的主控芯片。在车载电子系统中，尽管当前主流趋势转向更高密度的存储方案，但在一些老一代或特定用途的车载通信和信息娱乐系统中仍可见其身影。
　　对于需要现场升级功能的产品，该芯片的细粒度扇区划分和独立擦除能力使得固件更新更加高效和安全，避免了全片擦除带来的风险。同时，其并行接口提供了较高的数据吞吐率，适合带宽需求适中的应用场景。虽然随着串行NOR Flash（如Quad SPI）和eMMC/UFS等新型存储技术的发展，大容量并行闪存在新设计中的使用有所减少，但RC28F256M29EWHB因其成熟性和稳定性，仍然是许多存量项目和工业级设备中的首选存储解决方案之一。

MT28EW256ABA1LPC-0SIT
　　S29GL256S11TFI402
　　IS25LP256D-JBLE