RC28F160C3BC70 时间：2025/12/26 14:12:14 阅读：18

RC28F160C3BC70是一款由英特尔（Intel）生产的16兆位（Mbit）的NOR闪存芯片，属于Intel StrataFlash Embedded系列。该器件采用先进的浮栅技术，支持多电平存储技术（MLC），能够在单个存储单元中存储多个比特的信息，从而提高存储密度并降低成本。RC28F160C3BC70提供16 Mbit（即2 MB）的存储容量，组织为256 Kword × 32位的结构，适用于需要中等容量、高可靠性和快速随机访问的嵌入式应用。该芯片广泛应用于工业控制、通信设备、网络基础设施和汽车电子等领域。
　　该器件的工作电压通常为3.0 V至3.6 V，支持标准的单电源供电，简化了系统电源设计。它具备高性能的读取能力，典型访问时间低至70纳秒，适合对指令执行速度要求较高的系统，例如在XIP（eXecute In Place）模式下直接从闪存运行代码的应用场景。此外，该芯片内置了命令寄存器接口，支持JEDEC标准的命令集，便于进行写入、擦除和查询操作，并可通过软件实现块保护、写保护等功能，提升数据安全性与系统稳定性。

参数

品牌：Intel
　　型号：RC28F160C3BC70
　　存储容量：16 Mbit
　　存储结构：256 K × 32 bit
　　工作电压：3.0V ~ 3.6V
　　访问时间：70ns
　　封装形式：TSOP-56
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　接口类型：并行接口
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　擦除方式：扇区或整片擦除
　　总线宽度：32位

特性

RC28F160C3BC70具备多项关键特性，使其在嵌入式非易失性存储领域具有显著优势。首先，其采用的StrataFlash技术结合多电平单元（MLC）设计，在保持成本效益的同时实现了较高的存储密度。每个存储单元可存储多个状态，通过精确的电压控制实现数据的写入与读取，从而在相同硅片面积上提供比传统NOR Flash更高的容量。这种技术特别适合对成本敏感但又需要较大程序存储空间的应用。
　　其次，该芯片支持快速随机读取性能，访问时间仅为70ns，能够满足高性能处理器直接从闪存中取指执行的需求。这对于实时操作系统（RTOS）、通信协议栈或图形用户界面等需要快速响应的应用至关重要。此外，其32位并行接口提供了较高的数据吞吐率，有助于提升系统整体效率。
　　在可靠性方面，RC28F160C3BC70具有出色的耐久性和数据保持能力。典型的擦写次数可达10万次以上，数据保存时间超过20年，确保长期稳定运行。芯片还集成了内部电荷泵，用于生成编程和擦除所需的高压，无需外部提供高电压电源，简化了硬件设计并提高了系统的安全性。
　　该器件支持灵活的块管理机制，允许用户对不同区域进行独立的擦除和编程操作。同时，提供软件和硬件写保护功能，防止意外修改关键代码或配置数据。此外，它兼容JEDEC标准命令集，便于移植和开发，缩短产品上市周期。最后，其工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C 至 +85°C），适用于严苛环境下的应用，如工业自动化、车载电子和户外通信设备。

应用

RC28F160C3BC70广泛应用于多种嵌入式系统中，尤其适用于需要可靠、快速且中等容量非易失性存储的场合。在工业控制领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和工业网关中，用于存储固件、配置参数和运行日志。由于其支持XIP（就地执行）功能，处理器可以直接从该芯片中运行代码，减少了对外部RAM的依赖，降低了系统复杂度和成本。
　　在通信设备中，该芯片被用于路由器、交换机、基站控制器等设备中，作为Boot ROM或主程序存储器。其快速读取能力和高可靠性确保了设备启动迅速且运行稳定。此外，在网络基础设施中，用于存储操作系统镜像、驱动程序和安全证书等关键信息。
　　在汽车电子方面，RC28F160C3BC70可用于车身控制模块（BCM）、仪表盘系统、车载信息娱乐系统（IVI）以及ADAS（高级驾驶辅助系统）中的辅助控制单元。其宽温特性和抗干扰能力满足汽车级应用的基本要求，尽管并非专为AEC-Q100认证设计，但在部分非核心系统中仍被广泛采用。
　　此外，该芯片也适用于医疗设备、测试仪器和消费类电子产品中，用于存储启动代码、校准数据和用户设置。其成熟的工艺和长期供货保证使其成为许多 legacy 设计中的首选NOR Flash解决方案。