时间：2025/12/27 3:22:08
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RC28F00BM29EWHA是一款由英特尔（Intel）推出的并行接口的NOR闪存芯片，属于其成熟的C3工艺制造的StrataFlash存储器系列。该器件主要面向工业控制、通信设备、网络基础设施和嵌入式系统等对数据可靠性与长期稳定性要求较高的应用场景。作为一款高性能、低功耗的非易失性存储器，RC28F00BM29EWHA具备多层单元（MLC）技术特性，能够在单个存储单元中存储多个比特信息，从而在相同硅片面积下实现更高的存储密度，有效降低单位容量成本。该芯片采用48引脚TSOP封装形式，具有良好的电气性能和热稳定性，适用于各种严苛的工作环境。其设计兼顾了高速读取能力与可靠的数据保持能力，支持快速随机访问，适合用于代码存储、固件引导以及需要直接XIP（eXecute In Place）执行的应用场合。此外，该器件集成了智能电源管理功能和错误检测机制，有助于提升系统整体的耐用性和数据完整性。由于该产品已进入生命周期后期或停产状态，在现代设计中更多被新型串行NOR Flash或更高集成度的存储解决方案所替代，但在维护现有工业设备和老旧系统升级时仍具有重要参考价值。
制造商：Intel
产品系列：StrataFlash
存储类型：NOR Flash
存储容量：256Mb
组织结构：16M x 16位
接口类型：并行（CE#、OE#、WE#控制）
工作电压：2.7V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：48-TSOP
编程电压：内部电荷泵生成
读取访问时间：70ns 典型值
写入/擦除耐久性：10万次典型
数据保持时间：10年最小值
工艺技术：C3 MLC 工艺
RC28F00BM29EWHA采用Intel专有的C3 MLC（Multi-Level Cell）技术，使得每个存储单元可以存储两个比特的数据，显著提升了存储密度并降低了每兆位的成本。这种架构在保持NOR Flash传统优势的同时，实现了更高容量的集成，适用于需要大容量固件存储但又受限于PCB空间和预算的设计场景。
该芯片支持页编程模式，允许每次向一个扇区内写入最多32字（64字节）的数据，提高了编程效率并减少了主机处理器的干预频率。同时，内置的内建算法控制器可自动完成编程和擦除操作，包括电压调节、脉冲施加和状态验证，极大简化了外部控制器的软件负担，并增强了操作的可靠性。
器件提供硬件复位功能（RESET#引脚），可在上电或异常情况下强制芯片进入已知的安全读取状态，防止非法指令误触发导致系统崩溃。此外，它支持JEDEC标准的CFI（Common Flash Interface）接口，使系统能够动态读取芯片的电压、时序、保护区域等关键参数，实现真正的即插即用兼容性，便于不同厂商闪存之间的替换与适配。
为了保障数据安全，RC28F00BM29EWHA具备可编程的块锁定功能，用户可以通过命令序列对特定扇区进行写保护，防止意外擦除或篡改，特别适用于存放关键配置参数或安全启动代码的区域。该功能可通过软件永久锁定（Permanent Locking）进一步增强防护等级。
尽管该器件基于较早的制造工艺，但其在高干扰环境下的抗噪能力和长期数据保持表现依然出色，广泛应用于电信基站、工业PLC、医疗设备和车载控制系统等领域。虽然当前主流趋势转向SPI/QSPI等串行接口方案以节省引脚数和布线复杂度，但该芯片因其成熟稳定、驱动简单，在某些高性能并行架构系统中仍有不可替代的地位。
RC28F00BM29EWHA广泛应用于需要高可靠性、大容量非易失性存储的嵌入式系统中。常见用途包括网络路由器和交换机中的固件存储，用于存放操作系统镜像并支持XIP执行；工业自动化领域的可编程逻辑控制器（PLC）、人机界面（HMI）设备中用于保存程序代码与配置数据；通信基础设施如基站主控板、传输设备中承担引导加载程序（Bootloader）的存储任务；此外也见于部分高端打印机、医疗监测仪器及航空航天电子模块中，满足长时间运行和极端环境下的稳定性需求。由于其支持快速随机读取，非常适合需要频繁访问分散地址的应用场景，避免了将整个程序加载到RAM的资源消耗。
S29GL256P
