RBS81672XX 时间：2025/8/6 21:50:04 阅读：9

RBS81672XX 是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）生产的高性能射频功率晶体管，主要用于无线通信基础设施领域，特别是在基站和发射设备中作为功率放大器的核心元件。这款晶体管基于横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术，提供高功率增益、效率和可靠性。RBS81672XX 被设计用于在2GHz左右的频率范围内工作，适用于多种现代通信标准，如W-CDMA、LTE和5G等。

参数

类型：射频功率晶体管
　　技术：LDMOS
　　封装类型：表面贴装
　　工作频率：约2GHz
　　输出功率：典型值为60W（连续波）
　　增益：约18dB
　　效率：约40%
　　工作电压：28V
　　输入回波损耗：>15dB
　　工作温度范围：-40°C至+150°C

特性

RBS81672XX 具备多项高性能特性，使其在无线通信基础设施中表现出色。首先，该器件采用了先进的LDMOS技术，这使其能够在高频下提供高效率和高线性度，满足现代通信系统对能效和信号质量的严格要求。
　　其次，RBS81672XX 的输出功率高达60W（连续波），在2GHz频段内能够提供稳定可靠的功率放大能力。这对于基站设备来说尤为重要，因为高输出功率意味着更强的信号覆盖能力。15dB）确保了良好的阻抗匹配，减少了信号反射，提高了系统的稳定性。

应用

RBS81672XX 主要用于无线通信基础设施中的射频功率放大器模块，尤其是在基站设备中作为主功率放大器使用。由于其工作频率约为2GHz，非常适合用于UMTS、LTE和5G NR等移动通信标准的基站发射机中。此外，该晶体管也广泛应用于工业和商业射频设备，如广播发射机、测试仪器、雷达系统和无线接入点等。在这些应用中，RBS81672XX 能够提供高功率、高效率和高线性度的放大能力，确保信号传输的稳定性和质量。