时间：2025/8/7 3:15:29
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RBS80470XX 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌）生产的功率MOSFET晶体管，属于其OptiMOS?系列。该器件专为高效率和高性能的电源管理应用设计，适用于需要高开关速度和低导通电阻的场合。RBS80470XX采用先进的沟槽技术，具有卓越的热性能和高可靠性，广泛应用于工业电源、DC-DC转换器、负载开关、电机控制等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
漏极电流（Id）：140A
导通电阻（Rds(on)）：2.7mΩ
栅极电压范围：-20V至+20V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：PowerPAK? SO-8
RBS80470XX的主要特性包括其低导通电阻（Rds(on)）为2.7mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件采用Infineon先进的沟槽技术，提供卓越的热管理和耐用性，适用于高电流和高功率的应用场景。
此外，RBS80470XX的栅极电压范围为-20V至+20V，使其在多种驱动条件下都能稳定工作，避免因栅极电压波动而引起的性能下降。这种特性对于需要稳定可靠工作的电源系统至关重要。
该MOSFET的封装形式为PowerPAK? SO-8，具有较小的封装尺寸和良好的热传导性能，适合高密度PCB布局和空间受限的应用。同时，这种封装形式还能有效降低寄生电感，提高开关性能。
RBS80470XX的工作温度范围从-55°C到+175°C，使其能够在极端环境下稳定运行，适用于汽车电子、工业控制和消费电子等多种领域。此外，其高耐压能力（30V漏源电压）和高电流承载能力（140A漏极电流）使其在高功率应用中表现出色。
RBS80470XX广泛应用于多种电源管理场景，包括DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制和功率放大器等。在DC-DC转换器中，RBS80470XX的低导通电阻和高开关速度可以显著提高转换效率，减少能量损耗，适用于高功率密度的设计。在负载开关和电池管理系统中，其高电流承载能力和稳定的性能使其成为理想的开关元件。在电机控制应用中，RBS80470XX的快速开关特性和低损耗特性能够有效提升系统响应速度和能效。此外，该器件还适用于工业电源、服务器电源和消费类电子产品中的高效率电源管理需求。
RBS80470XN, RBS80470XU, BSC080N03LS
