类型：双通道肖特基二极管
　　配置：共阴极（Common Cathode）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：60V
　　平均整流电流（Io）：5A
　　正向电压降（VF）：典型值0.49V（@ IF=2.5A, Ta=25°C）
　　最大正向电压降（VF(max)）：0.6V（@ IF=2.5A, Ta=25°C）
　　反向漏电流（IR）：最大30μA（@ VR=60V, Ta=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　热阻（Junction-to-Case, Rth(j-c)）：约1.5°C/W
　　封装形式：DFN2530D-10 (2.5×3.0mm)
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：10
　　符合标准：AEC-Q101（车规级）、RoHS、无卤素

RBR5LAM60ATR采用ROHM专有的沟槽式MOS肖特基结构，这种创新设计显著降低了传统肖特基二极管中存在的反向漏电流问题，同时保持了极低的正向导通压降，从而实现更高的能量转换效率和更低的功耗。该结构通过在硅片上形成精密的沟槽栅极来控制电场分布，有效抑制了金属-半导体接触面的电场集中现象，提升了器件的耐压能力与长期可靠性。得益于这一先进工艺，即使在高温环境下运行，其反向漏电流也远低于同类产品，确保系统在恶劣工况下的稳定性。此外，该器件具备出色的瞬态响应能力，在高频开关电源中可减少开关损耗并提升整体效率。
　　RBR5LAM60ATR内置两个独立的肖特基二极管单元，采用共阴极配置，便于构建双路整流或同步整流辅助电路，广泛应用于多相DC-DC变换器中。其DFN2530D-10封装不仅尺寸小巧（仅2.5×3.0×1.0mm），还集成了大面积裸露焊盘以增强散热性能，使热量能高效传导至PCB，从而支持高达5A的持续整流电流输出。该封装还优化了内部引线布局，减小了寄生电感和电阻，进一步提升了高频工作的稳定性与抗噪声干扰能力。
　　该产品通过AEC-Q101车用电子元器件可靠性测试认证，意味着它能在剧烈温度循环、高湿、机械振动等复杂环境中可靠运行，非常适合车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）以及其他关键汽车电力系统。同时，其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其可在极端气候条件下正常运作。另外，器件符合RoHS和无卤素指令，支持环保生产流程，适用于全球市场的出口需求。配套的SPICE模型和热仿真数据可供工程师用于电路仿真与热设计优化，加快产品开发周期。

RBR5LAM60ATR因其高效率、小尺寸和车规级可靠性，被广泛应用于多个高要求的电力电子领域。在汽车电子方面，它常用于车载充电机（OBC）、DC-DC升压/降压转换器、电池管理系统的电压检测与保护电路、以及启停系统中的能量回收模块。其低正向压降特性有助于降低整车能耗，延长续航里程，特别适用于混合动力汽车（HEV）和纯电动汽车（EV）。在工业电源系统中，该器件可用于服务器电源、通信基站电源模块、FPGA或ASIC供电的POL（Point-of-Load）转换器中，作为同步整流续流二极管使用，显著提升电源效率并减少发热。
　　此外，RBR5LAM60ATR也适用于消费类高端电子产品，如大功率笔记本适配器、游戏主机电源单元、LED照明驱动电源等，尤其是在追求高能效等级（如80 PLUS Titanium）的设计中发挥重要作用。由于其双通道共阴极结构，还可以用于双路输出电源或需要冗余设计的场合，提高系统的安全性和容错能力。在太阳能逆变器和储能系统中，该器件可用作防反二极管，防止电池回流损坏光伏板，同时因其快速恢复特性而减少能量损耗。
　　在便携式设备中，尽管其封装为SMD且需良好散热设计，但在有足够PCB铜箔散热条件下，仍可用于高密度电源模块中。工程师还可将其用于热插拔电路中的瞬态保护、或作为OR-ing二极管防止多电源路径之间的倒灌电流。总之，凭借其优异的电气性能和坚固的封装设计，RBR5LAM60ATR已成为现代高效电源架构中不可或缺的关键元件之一。

RBV5LAM60ATR