时间：2025/12/25 11:54:16
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RBR3MM60ATFTR是一款由ROHM Semiconductor生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用SOD-123FL封装。该器件专为高效率、低损耗的电源应用设计，具有较低的正向电压降和快速的反向恢复时间，适用于开关模式电源、DC-DC转换器以及各种便携式电子设备中的整流和续流应用。该二极管的最大重复峰值反向电压为60V，最大平均整流电流为3A，能够在紧凑的空间内提供较高的功率密度。RBR3MM60ATFTR通过了AEC-Q101车规级认证，适合在汽车电子系统中使用，如车载充电器、LED照明驱动和电池管理系统等。其小型化封装有助于节省PCB空间，同时具备良好的热性能和可靠性，满足现代电子产品对小型化和高效能的需求。
产品类型：肖特基二极管
配置：单路
最大重复峰值反向电压（VRRM）：60V
最大平均整流电流（IO）：3A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：50A
最大正向电压（VF）：550mV @ 3A, 150°C
最大反向漏电流（IR）：100μA @ 60V, 150°C
反向恢复时间（trr）：典型值8ns
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装/外壳：SOD-123FL
安装类型：表面贴装型
高度：1.1mm
引脚数：2
湿气敏感等级（MSL）：1（无限制）
符合标准：AEC-Q101、RoHS、不含卤素
RBR3MM60ATFTR的核心优势在于其采用了先进的沟槽式肖特基势垒结构，这种设计有效降低了正向导通压降的同时抑制了反向漏电流的增加，从而在高温环境下仍能保持优异的电学性能和稳定性。该器件在3A电流下的最大正向电压仅为550mV（在150°C条件下），显著低于传统肖特基二极管，这不仅减少了导通损耗，还提升了整体电源转换效率，特别适用于对能效要求严苛的应用场景。此外，其超快的反向恢复时间（trr典型值为8ns）使得该二极管在高频开关电路中表现出色，能够有效减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），提升系统的动态响应能力。
该器件具备高达60V的反向耐压能力，适用于12V至48V的直流电源系统，广泛用于工业控制、消费电子和汽车电子领域。其额定平均整流电流达到3A，在小尺寸SOD-123FL封装下实现了较高的电流承载能力，得益于优化的芯片布局和封装材料，具备良好的热传导性能，可在恶劣的热环境中稳定运行。RBR3MM60ATFTR通过了AEC-Q101车规级可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、温度循环（TC）、功率循环（PC）等多项严苛试验，确保其在汽车应用中的长期可靠性和耐用性。
SOD-123FL封装具有极低的高度（1.1mm），非常适合对厚度有严格要求的便携式设备和车载模块，同时支持回流焊工艺，便于自动化生产。器件符合RoHS指令且不含卤素，满足环保法规要求。其MSL等级为1级，表示在存储过程中无需特殊防潮措施，简化了供应链管理。综合来看，RBR3MM60ATFTR是一款集高性能、高可靠性与小型化于一体的肖特基二极管，是现代高效电源设计的理想选择之一。
RBR3MM60ATFTR广泛应用于多种需要高效整流和快速开关响应的电源系统中。在汽车电子领域，它常用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、车身控制模块、LED前大灯驱动电路以及电池管理系统（BMS）中，作为续流二极管或反向保护元件，凭借其AEC-Q101认证和高温稳定性，能够在发动机舱等高温环境中长期可靠运行。在工业应用中，该器件适用于PLC电源模块、传感器供电单元和电机驱动电路中的整流与箝位功能。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑的适配器和内部电源管理电路中，RBR3MM60ATFTR因其低VF特性可有效降低功耗，延长设备续航时间。此外，它也常见于通信设备的电源部分，用于隔离和防止反向电流。由于其快速的反向恢复能力和高频特性，该二极管在开关模式电源（SMPS）、同步整流辅助电路和光伏逆变器中也有广泛应用。其小型化封装使其成为高密度印刷电路板（PCB）布局的理想选择，尤其适合空间受限的设计。
RBV3SM60A,RBR3SM60A,SMB360PTP-C,SS34,SBT3U03-60DP
