时间：2025/12/25 11:34:45
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RBR3LAM30ATR是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），专为高效率、高速开关应用设计。该器件采用紧凑型表面贴装封装（通常为SOD-123FL或类似小型化封装），适用于空间受限的便携式电子设备和高密度电路板设计。RBR3LAM30ATR具有低正向电压降和快速反向恢复时间，使其在DC-DC转换器、电源整流、续流二极管以及反向极性保护等应用中表现出色。其结构基于肖特基势垒原理，利用金属-半导体结实现较低的导通损耗，相较于传统的PN结二极管，在高频工作条件下能显著提升系统效率。此外，该器件具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定运行，适合工业级与消费类电子产品使用。RBR3LAM30ATR符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q101车规认证，表明其可用于汽车电子系统中对可靠性和耐久性要求较高的场景。
类型：肖特基势垒二极管
极性：单路
最大重复反向电压（VRRM）：30V
最大平均整流电流（IO）：3A
峰值浪涌电流（IFSM）：50A
最大正向电压降（VF）：0.57V @ 3A, 25°C
最大反向漏电流（IR）：0.1mA @ 30V, 25°C
反向恢复时间（trr）：≤10ns
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOD-123FL
安装类型：表面贴装（SMD）
高度：约1.1mm
热阻（Rth(j-a)）：约150°C/W
RBR3LAM30ATR的核心特性之一是其低正向电压降，典型值仅为0.57V，在3A的工作电流下可大幅降低导通损耗，从而提高电源系统的整体能效。这一特性尤其适用于电池供电设备，如智能手机、平板电脑和便携式充电器，有助于延长续航时间。由于采用先进的芯片工艺和优化的金属-半导体接触技术，该二极管在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，避免因温升导致的效率下降或热失控风险。
另一个关键优势是其超快的反向恢复时间（trr ≤ 10ns），远低于传统硅PN二极管，几乎不存在少数载流子存储效应，因此在高频开关电路中不会产生显著的开关损耗或电磁干扰（EMI）。这使得RBR3LAM30ATR非常适合用于同步整流、Buck/Boost转换器、开关模式电源（SMPS）以及逆变器等高频应用场景。
该器件还具备出色的浪涌电流承受能力，峰值可达50A，能够应对瞬态过流情况，例如电源启动时的冲击电流，提升了系统的鲁棒性。同时，其小型化SOD-123FL封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，配合合理的布局设计可有效传导热量，防止局部过热。
RBR3LAM30ATR通过了AEC-Q101车规级认证，意味着它经过严格的应力测试，包括高温反偏、温度循环、湿度敏感性等，确保在恶劣环境下的长期可靠性，适用于车载信息娱乐系统、LED照明驱动、DC-DC变换器模块等汽车电子领域。此外，产品符合无铅和RoHS指令，支持绿色制造流程，适应全球环保法规要求。
RBR3LAM30ATR广泛应用于各类需要高效、快速响应的电源管理系统中。在消费类电子产品中，常用于手机、笔记本电脑和平板电脑中的DC-DC降压或升压转换器，作为输出整流二极管或续流二极管，以减少能量损耗并提升转换效率。在便携式电源设备如移动电源、USB PD充电器中，该器件可在高频率开关条件下稳定工作，帮助实现小型化与高功率密度的设计目标。
在工业控制领域，RBR3LAM30ATR可用于PLC模块、传感器供电单元、电机驱动电路中的箝位或反向保护功能，提供可靠的电流路径管理。其快速响应特性也有助于抑制感性负载断开时产生的反电动势，保护主控芯片免受损坏。
在汽车电子系统中，得益于其AEC-Q101认证和宽温工作能力，该二极管被广泛应用于车载充电器（OBC）、车身控制模块、LED车灯驱动电源以及ADAS系统中的电源管理单元。特别是在48V轻混系统或12V辅助电源中，RBR3LAM30ATR能够胜任低压大电流的整流任务，同时维持低温升和高稳定性。
此外，该器件也适用于太阳能充电控制器、无线充电发射端电路、服务器电源模块等对效率和可靠性要求较高的场合，是现代高效电源架构中不可或缺的关键元件。
RBV3LAM30ATR
RBV3LAM30A
