型号：RBR1MM30ATFTR
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　封装/外壳：SOD-123W
　　二极管类型：肖特基势垒二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大正向平均整流电流（IF(AV)）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A
　　最大正向电压降（VF）：520mV @ 1A, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：100μA @ 30V, 25°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　热阻（Rth(j-c)）：150°C/W
　　安装类型：表面贴装
　　湿度敏感等级（MSL）：1级（无限制）
　　符合标准：RoHS，AEC-Q101

RBR1MM30ATFTR的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这种结构利用金属与半导体之间的势垒实现单向导电性，相较于传统的PN结二极管，显著降低了正向导通电压。在1A电流下，其典型正向压降仅为520mV，这意味着在大电流工作条件下产生的导通损耗远低于普通整流二极管，从而提高了电源系统的转换效率。这一特性对于电池供电设备尤为重要，因为它可以延长续航时间并减少散热需求。
　　该器件具备非常快的开关速度，几乎不存在反向恢复时间（trr < 10ns），因此在高频开关电路如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中表现出色。由于没有少数载流子存储效应，肖特基二极管在关断时不会产生明显的反向恢复电流尖峰，这不仅减少了电磁干扰（EMI），也避免了因反向恢复引起的额外功耗和热应力问题，提升了系统的稳定性与安全性。
　　RBR1MM30ATFTR采用SOD-123W小型化封装，尺寸约为2.7mm x 1.6mm x 1.1mm，在保证良好散热性能的同时极大节省了PCB空间，适合高密度组装的应用场景。其封装材料具有优异的耐热性和机械强度，能够在回流焊过程中承受高温而不变形或损坏。此外，该封装设计优化了引脚布局，降低了寄生电感和电阻，有利于高频信号传输和功率传输的完整性。
　　该二极管经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温存储寿命（HTSL）和温度循环测试等，确保在恶劣工作环境下仍能保持长期稳定运行。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其可在极端气候条件下正常工作，特别适用于车载充电系统、LED驱动电源和工业控制设备等对环境适应性要求高的场合。

RBR1MM30ATFTR因其高效的整流能力和紧凑的封装形式，被广泛应用于多种电力电子系统中。在便携式消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，它常用于电池充放电管理电路和低压DC-DC升压或降压转换器中，作为同步整流的辅助二极管或防止反向电流的隔离元件，以提高能源利用效率并延长电池使用寿命。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车身控制系统、车载信息娱乐系统、LED照明模块以及电动助力转向（EPS）等子系统中的电源管理单元。得益于其AEC-Q101车规认证，RBR1MM30ATFTR能够满足汽车行业对元器件可靠性和耐久性的严格要求，即使在发动机舱内的高温环境中也能稳定工作。
　　在工业自动化和通信设备中，该二极管常用于隔离电源、防止反接保护、续流路径构建以及高频整流环节。例如，在反激式开关电源中，它可以作为输出整流二极管，配合变压器实现能量传递；在电机驱动电路中，则用作感应负载的续流二极管，抑制感性负载断开时产生的反向电动势，保护主控开关器件（如MOSFET）。
　　此外，RBR1MM30ATFTR还可用于太阳能充电控制器、USB PD快充适配器、无线充电发射端等新兴应用领域。随着对能效和体积要求的不断提升，这类高性能肖特基二极管正在逐步替代传统整流二极管，成为现代绿色电源设计的重要组成部分。

RBV1MM30ATF\nRBR1MM30ATF\nSS14-S