封装尺寸：2012 (0805)
　　电容值：47 pF
　　容差：±20%
　　额定电压：50 V
　　介电材质：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：±15% 在整个温度范围内变化
　　绝缘电阻：≥10,000 MΩ 或 RC ≥ 500 sec（取较小值）
　　耐电压：1.5倍额定电压，持续5秒无击穿或闪络
　　端接类型：Ni/Sn（镍阻挡层/锡覆盖）
　　老化率：典型值为≤2.5% 每十倍频程时间
　　等效串联电阻（ESR）：低，具体数值依频率而定
　　自谐振频率（SRF）：取决于安装方式和PCB布局，典型值在GHz级别

RBL2012T470M采用X7R类II型陶瓷介质，具有较高的介电常数，能够在小尺寸封装下实现稳定的电容性能。其最显著的特性之一是在宽温度范围内保持电容值的相对稳定，X7R材料定义为在-55°C至+125°C之间，电容变化不超过±15%，这使得它非常适合对温度敏感的应用场景，如电源管理模块、射频前端电路和精密模拟电路。此外，该器件具备良好的直流偏压特性，在施加接近额定电压的直流偏置时仍能维持较高比例的标称电容，优于其他高介电常数材料如Y5V。
　　该电容器的结构采用多层叠层工艺，将交替的内电极与陶瓷介质层堆叠烧结而成，从而实现小型化与高可靠性。其端子采用镍阻挡层和锡外覆层设计，不仅增强了焊接性能，还有效防止了银离子迁移问题，提升了长期环境稳定性。这种端接结构也兼容无铅回流焊工艺，符合RoHS环保要求，适用于现代自动化表面贴装生产线。
　　RBL2012T470M具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），因此在高频去耦和噪声滤波方面表现优异。尽管其不属于C0G/NP0类超稳定电容，但在许多不需要极高精度但需兼顾容量与体积比的应用中，是理想的折中选择。器件通过AEC-Q200认证的可能性较高，适合汽车电子使用，具体需参考官方数据手册确认。整体而言，这款MLCC在消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子中均有广泛应用前景。

RBL2012T470M广泛应用于各类电子系统中，尤其适合需要中等电容值、良好温度稳定性和较高额定电压的小型化设计场合。常见用途包括电源线路的去耦和旁路，用于抑制高频噪声并稳定供电电压，特别是在微处理器、FPGA、ASIC和DC-DC转换器附近作为局部储能元件。其50V额定电压使其适用于中低压电源轨，例如3.3V、5V或12V系统，能够有效应对瞬态电流波动。
　　在模拟电路中，该电容器可用于滤波网络、耦合/隔直电路以及反馈回路中的相位补偿。虽然其电容值随电压和温度略有变化，但在非精密应用场景下仍可提供可靠的性能。在射频（RF）设计中，RBL2012T470M可用于阻抗匹配网络、LC谐振电路或带通滤波器中，配合电感构成调谐单元，尤其是在UHF频段以下的应用中表现良好。
　　由于其符合汽车级可靠性标准的潜力，该器件也被广泛用于车载信息娱乐系统、车身控制模块、传感器接口电路和ADAS（高级驾驶辅助系统）相关电子单元中。此外，在工业自动化设备、医疗仪器、便携式电子产品和电信基础设施中也能见到其身影。得益于其紧凑的0805封装，便于高密度PCB布局，同时保持足够的机械强度和焊接可靠性，适用于大批量自动化生产流程。

GRM21BR71H470KA01L
　　CL21A470KBANNNC
　　C2012X7R1H470M