类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：100 A
　　漏源电压 (Vds)：250 V
　　栅源电压 (Vgs)：±30 V
　　导通电阻 (Rds(on))：0.082 Ω @ Vgs=10V
　　封装类型：DPAK
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　功耗：200 W

RBHV7224DG 具备多项优异的电气和热性能，使其在各种高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻 (Rds(on)) 仅为 0.082 Ω，在 Vgs=10V 的条件下能够显著降低导通损耗，从而提高整体系统效率。该特性对于需要频繁开关的功率转换器和电机控制电路尤为重要。
　　其次，RBHV7224DG 的最大漏源电压 (Vds) 达到 250V，使其能够承受较高的电压应力，适用于工业电源、电机驱动和光伏逆变器等高电压应用。此外，该器件的栅源电压容限为 ±30V，提供了更宽的栅极驱动电压范围，增强了在不同控制电路中的适应性。
　　其 DPAK 封装不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，有助于提高 PCB 设计的灵活性和自动化生产效率。该封装形式在工业和汽车应用中广泛使用，具有较高的可靠性和机械强度。
　　RBHV7224DG 的最大连续漏极电流可达 100A，在高电流负载条件下依然能够保持稳定性能。此外，该器件的热阻较低，有助于快速散热，避免因过热而引起的性能下降或器件损坏。这种特性对于高功率密度设计尤为重要，例如电源适配器、服务器电源和电动汽车充电系统。
　　最后，该 MOSFET 在工作温度范围上表现出色，可在 -55°C 至 150°C 的环境中稳定运行，适用于严苛的工业和汽车环境。其高可靠性使其成为许多要求严苛的电子系统中的理想选择。

RBHV7224DG 广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于：DC-DC 转换器、电源适配器、服务器电源、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、光伏逆变器、负载开关和汽车电子系统。该器件的高耐压和低导通电阻特性使其在这些应用中能够提供高效的功率转换和稳定的性能。

SiHF12N250DD, FQA18N25CL, IRFHV7224