类型：N沟道
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：15A
　　导通电阻(Rds(on))：最大值为8.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　功率耗散(Pd)：80W

RBD09101F具有多项优异的电气和热性能特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。这在高电流应用场景中尤为重要，有助于减少发热并提升整体性能。
　　其次，该MOSFET具备较高的耐压能力，漏源电压（Vds）可达100V，适用于多种中高压电源管理电路。栅源电压容限为±20V，使其在驱动电路设计中具备更高的灵活性和安全性。
　　此外，RBD09101F采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热能力，能够在高功率工作条件下保持稳定运行。该封装形式也便于焊接和安装，适用于表面贴装技术（SMT），适合大规模生产使用。
　　该器件的工作温度范围宽，从-55℃到150℃，确保其在极端环境条件下仍能可靠运行，适用于工业级和汽车电子应用。同时，其80W的功率耗散能力也支持其在高负载应用中稳定工作。

RBD09101F广泛应用于多个领域，包括但不限于以下几类：
　　在电源管理方面，该器件常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，以实现高效的能量转换和分配。其低导通电阻和高耐压特性使其在这些应用中表现出色，能够有效减少能量损耗并提升系统效率。
　　在工业自动化和电机控制领域，RBD09101F可作为功率开关元件，用于控制电机、继电器和其他执行机构的启停与调速。其高电流承载能力和良好的散热性能，使其在频繁开关操作中保持稳定。
　　在电池供电设备中，如便携式电子设备、电动工具和无人机，RBD09101F可用于电池保护电路和电源管理系统，以延长电池寿命并提高设备运行效率。
　　此外，该MOSFET也可用于汽车电子系统，例如车载充电器、车身控制模块和LED照明驱动电路，满足汽车应用中对可靠性和耐久性的严格要求。

SiHF15N100DD, FDPF15N100, STP15NK100Z