型号：RBC2-4(FN2-4)
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　封装形式：SOT-23
　　极性：N-Channel
　　漏源电压Vds：60V
　　栅源电压Vgs：±20V
　　连续漏极电流Id（@25℃）：100mA
　　脉冲漏极电流Idm：400mA
　　导通电阻Rds(on)（max）：4.0Ω @ Vgs=10V
　　导通电阻Rds(on)（typ）：3.0Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压Vgs(th)：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容Ciss：15pF @ Vds=10V
　　输出电容Coss：8pF @ Vds=10V
　　反向传输电容Crss：1.5pF @ Vds=10V
　　栅极电荷Qg：1.8nC @ Vgs=10V
　　功耗Pd：200mW
　　工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　安装方式：表面贴装

RBC2-4（FN2-4）作为一款高性能的N沟道MOSFET，在小型化封装中实现了出色的电气性能与热管理能力。其最大的特点之一是采用了先进的沟槽型MOS结构，有效降低了导通电阻Rds(on)，在Vgs=10V时典型值仅为3.0Ω，最大不超过4.0Ω，这使得器件在导通状态下能够显著减少功率损耗，提高整体系统效率。
　　该器件具备较低的栅极电荷（Qg=1.8nC），意味着在高频开关应用中所需的驱动能量更少，从而提升了开关速度并减少了开关损耗，特别适合用于DC-DC转换器、负载开关或LED驱动等需要快速响应的场合。同时，输入电容Ciss仅为15pF，有助于减小高频噪声干扰，并提升系统的稳定性。
　　RBC2-4的工作结温可达+150℃，表明其具备良好的热稳定性与长期运行可靠性，即使在高温环境下也能保持稳定的电气特性。此外，器件的阈值电压范围为1.0V至2.5V，使其能够兼容低电压逻辑信号控制，例如由微控制器GPIO直接驱动，无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度。
　　SOT-23封装不仅体积小巧（典型尺寸约2.9mm x 1.3mm x 1.1mm），而且具备良好的散热性能，适合自动化贴片生产。该器件通过了AEC-Q101认证（如适用版本），可用于汽车电子等对可靠性要求较高的领域。同时，产品符合RoHS指令，支持无铅回流焊工艺，适应现代环保制造需求。综合来看，RBC2-4在小型化、高效能和易用性之间取得了良好平衡，是众多低功率开关应用的理想选择。

RBC2-4（FN2-4）主要应用于需要小型化和高效率的低功率开关场景。常见用途包括便携式电子设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或电池供电路径控制。其低导通电阻和快速响应特性也使其适用于同步整流型DC-DC降压变换器中，作为上管或下管使用，尤其在输入电压低于60V、负载电流在100mA左右的应用中表现优异。
　　在工业控制系统中，该器件可用于传感器电源的启停控制、继电器驱动接口或信号通断开关，凭借其高可靠性和宽温度范围，能在恶劣环境中稳定运行。此外，在通信设备如路由器、网络适配器中，RBC2-4常被用于隔离不同电源域或实现多电压轨的顺序上电控制。
　　由于其兼容TTL/CMOS逻辑电平的能力，RBC2-4也可直接由微控制器I/O口驱动，用于LED指示灯控制、蜂鸣器驱动或小功率电机的开关控制。在消费类家电如智能音箱、电子锁、遥控器等产品中，该器件有助于实现节能待机模式下的电源切断功能。
　　另外，得益于SOT-23的小尺寸封装，它非常适合高密度PCB布局，尤其是在空间受限的模块化设计中，例如电源模块、传感器模组或无线通信模块中作为功率开关元件使用。总体而言，RBC2-4是一款通用性强、适应面广的微型功率MOSFET，广泛服务于现代电子产品的电源开关与能量管理需求。

RB0204L-40
　　FMMT214
　　MMBT201
　　BSS138