RB5P006AM2 是一款由 ROHM(罗姆)公司制造的 P 沟道功率 MOSFET。该器件主要用于电源管理应用,如 DC-DC 转换器、负载开关、电池供电设备等。其设计优化了导通电阻(Rds(on))和栅极电荷(Qg),从而提高了效率并减少了开关损耗。
类型:P 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):-60V
栅源电压(Vgs):±20V
漏极电流(Id):-6.1A
导通电阻(Rds(on)):0.043Ω(最大值,@ Vgs = -10V)
功率耗散(Pd):30W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-252(DPAK)
RB5P006AM2 的主要特性之一是其低导通电阻,这有助于降低导通状态下的功率损耗,提高整体效率。该器件的导通电阻在 Vgs = -10V 时最大为 0.043Ω,适用于高效率的功率转换应用。
此外,RB5P006AM2 具有较高的耐压能力,漏源电压(Vds)为 -60V,使其适用于多种中等功率的 DC-DC 转换器和负载开关应用。其栅源电压容限为 ±20V,确保在各种工作条件下器件的稳定性和可靠性。
该 MOSFET 采用 TO-252(DPAK)封装,具有良好的散热性能,适合高电流应用。封装设计有助于提高热管理能力,从而延长器件的使用寿命并提高系统的可靠性。
RB5P006AM2 的另一个优势是其较低的栅极电荷(Qg),这有助于减少开关损耗,提高开关频率,适用于高频开关电源设计。此外,该器件的封装符合 RoHS 标准,支持环保设计。
RB5P006AM2 适用于多种功率电子应用,包括但不限于同步整流器、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关、电源管理模块和电机控制电路。由于其低导通电阻和良好的热性能,该器件特别适合需要高效能和高可靠性的应用场合。
在 DC-DC 转换器中,RB5P006AM2 可用于同步整流或作为主开关器件,帮助提高转换效率并减少热量产生。在电池管理系统中,它可以作为高侧或低侧开关,用于控制电池的充放电过程。
该器件还可用于电机驱动电路,提供高效的功率控制能力,同时保持较低的开关损耗。在电源管理模块中,RB5P006AM2 可用于实现高效的电源分配和负载切换,确保系统在不同工作条件下的稳定运行。
此外,RB5P006AM2 也可用于 LED 照明驱动器、适配器电源、不间断电源(UPS)以及工业自动化控制系统中的功率开关应用。
Si4435BDY, FDS6680, IRF9Z24N, RB5P006AM2S