时间：2025/8/28 7:05:22
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RB5P004AM2 是一款由 Renesas Electronics（瑞萨电子）推出的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率控制应用。这款 MOSFET 采用 P 沟道设计，适用于低电压和中等电流的开关操作。其封装形式为表面贴装（SOP），适合现代电子设备中对空间和散热性能有较高要求的设计场景。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-40V
栅源电压（VGS）：-20V
连续漏极电流（ID）：-4A
导通电阻（RDS(on)）：120mΩ @ VGS = -10V，150mΩ @ VGS = -4.5V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOP8
RB5P004AM2 具有低导通电阻，这有助于减少在功率转换过程中的能量损耗，从而提高整体系统效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从 -10V 到 -4.5V 的工作电压，使其适用于多种电源管理电路。此外，该 MOSFET 内部结构优化，具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较高温度环境下稳定运行。
其表面贴装封装形式（SOP8）有助于简化 PCB 设计，提升装配效率，同时也有利于散热。该器件还具备良好的抗静电能力，符合 RoHS 环保标准，适用于消费类电子产品、工业自动化设备以及通信设备中的电源开关和负载管理应用。
RB5P004AM2 常用于各种电源管理系统中，例如电池供电设备、DC-DC 转换器、负载开关、电源管理单元（PMU）以及各类嵌入式系统。其低导通电阻和良好的热稳定性使其特别适合用于需要高效能和低功耗的场合，如笔记本电脑、平板电脑、智能家电、工业控制设备以及电信基础设施等应用场景。
Si2301DS, FDN340P, IRML2502, AO4403
