时间：2025/12/25 11:24:13
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RB531XNTR是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的表面贴装肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用小型化SOD-123FL封装。该器件专为高效率、高频应用而设计，广泛应用于便携式电子设备和空间受限的电路中。RB531XNTR具有低正向电压降（VF）和快速开关特性，能够有效减少功率损耗并提升系统整体能效。其结构基于肖特基势垒原理，利用金属与半导体之间的接触形成整流效应，相较于传统的PN结二极管，具备更短的反向恢复时间（trr），几乎可以忽略不计，因此特别适用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及极性保护等需要高速响应的场景。
该型号采用无铅且符合RoHS标准的环保材料制造，支持回流焊工艺，适合自动化贴片生产流程。SOD-123FL封装尺寸紧凑（约2.0mm × 1.25mm × 1.1mm），有助于节省PCB空间，满足现代电子产品小型化、轻薄化的发展趋势。RB531XNTR的工作结温范围通常在-55°C至+150°C之间，具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的环境温度条件下稳定运行。此外，该器件还具备较高的峰值重复反向电压（VRRM）和平均整流电流能力，在保证性能的同时兼顾了安全裕度。
产品类型：肖特基二极管
封装/外壳：SOD-123FL
是否无铅：是
是否符合RoHS：是
最大重复反向电压 VRRM：30V
平均整流电流 IO：200mA
正向压降 VF（典型值）：0.36V @ 10mA, 0.58V @ 200mA
最大反向漏电流 IR：0.1μA @ 25°C, 10μA @ 125°C
反向恢复时间 trr：≤4ns
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
热阻 RθJA：450°C/W（典型）
安装方式：表面贴装（SMT）
RB531XNTR的核心优势在于其出色的低正向电压降与超快开关速度的结合。在正向导通状态下，该二极管在10mA电流下的典型正向压降仅为0.36V，在200mA时也仅达到0.58V左右，显著低于传统硅二极管的0.7V门槛电压。这种低VF特性意味着在相同电流下功耗更低，尤其在电池供电设备中可有效延长续航时间。同时，由于采用肖特基结构，其载流子传输机制主要依赖多数载流子（电子），不存在少数载流子的存储效应，因此反向恢复时间极短，实测值小于4纳秒。这一特性使其在高频开关电路中表现优异，避免了因二极管反向恢复引起的尖峰电流和电磁干扰问题，提升了系统的稳定性与效率。
该器件的SOD-123FL封装不仅体积小巧，还优化了散热路径设计，使得在有限的空间内仍能实现较好的热管理。尽管其额定平均整流电流为200mA，但在瞬态或脉冲工况下可承受更高的峰值电流，增强了实际应用中的鲁棒性。此外，RB531XNTR具有较低的反向漏电流，在常温25°C时最大仅为0.1微安，即使在高温125°C环境下也能控制在10微安以内，确保在待机或低功耗模式下不会造成明显的能量浪费。其高耐热性能（Tj可达150°C）配合合理的PCB布局设计，可在严苛环境中长期可靠运行。综合来看，RB531XNTR是一款兼顾高性能、小尺寸与节能环保的先进肖特基二极管，非常适合用于现代高密度、高效率电源管理系统。
RB531XNTR广泛应用于各类消费类电子、通信设备及工业控制领域中的电源管理模块。常见用途包括但不限于：作为DC-DC升压或降压转换器中的续流二极管或整流元件，用于防止电感反电动势损坏开关管；在便携式设备如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机中实现电池充放电回路的极性保护和防反接功能；在USB供电路径中提供隔离与反向阻断作用；也可用于信号整流、电压钳位、ESD保护辅助电路等场景。由于其快速响应能力和低功耗特性，特别适合高频开关电源拓扑结构，例如同步整流架构中的非同步部分替代方案、反激式电源次级侧整流等。此外，因其小型化封装优势，常被选用在空间受限的可穿戴设备主板、物联网传感器节点、微型无线模块等高度集成的PCB设计中。在汽车电子方面，虽然不属于AEC-Q101认证器件，但在非关键性的车载附属设备（如车载充电器、信息娱乐系统电源模块）中也有一定应用潜力。总体而言，凡是对效率、体积和响应速度有较高要求的低压直流电路，RB531XNTR都是一个理想的选择。
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"RB531VM-30",
"RB532S-30",
"BAT54C",
"MBR0520L",
"SMS7618"
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