型号：RB530VM-30TE17
　　封装类型：SOD-323
　　二极管配置：单个
　　最大平均整流电流：200mA（Io）
　　峰值正向浪涌电流：500mA（IFSM）
　　最大正向电压降：450mV @ 200mA（VF）
　　最大反向漏电流：100nA @ 25°C（IR）
　　反向重复峰值电压：30V（VRRM）
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C（Tj）
　　热阻：500°C/W（RθJA）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　极性：阴极为标记端

RB530VM-30TE17的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这种结构利用金属-半导体接触形成整流效应，相较于传统的PN结二极管，显著降低了正向导通压降。在典型工作电流200mA下，其正向电压仅为450mV左右，远低于普通硅二极管的0.7V以上水平，从而大幅减少了功率损耗，提升了系统能效，特别适用于对能耗敏感的电池供电设备。此外，由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件，几乎不存在少数载流子的存储效应，因此具备极快的反向恢复速度，反向恢复时间（trr）通常小于10ns，使其非常适合用于高频开关电源、同步整流辅助电路或高速信号整流场合。
　　该器件的反向耐压为30V，在低压应用中提供了足够的安全裕量，能够应对常见的瞬态电压波动。其最大反向漏电流在25°C时仅为100nA，虽然随着温度升高会有所增加，但在常温环境下仍保持较低水平，有助于减少待机状态下的静态功耗。RB530VM-30TE17的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，展现了良好的热适应能力，可在严苛环境温度下稳定运行。结合SOD-323小尺寸封装，该器件不仅节省PCB空间，还通过优化的内部结构和材料选择实现了较高的可靠性与长期稳定性。产品经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、温度循环和湿度敏感度等级（MSL1）评估，确保在各种应用场景下的耐用性。

RB530VM-30TE17常用于多种低压、小电流的电源管理与信号处理电路中。典型应用包括便携式电子设备中的电池充放电路径隔离，防止电池反向供电损坏主控芯片；在DC-DC降压或升压转换器输出端作为续流二极管使用，提升转换效率；也可用于USB接口的电源保护，避免外部异常电压对系统造成损害。此外，该器件适用于各类需要快速响应的信号整流场景，如音频信号检波、高频脉冲整形等。在嵌入式控制系统、传感器模块和无线通信单元中，RB530VM-30TE17可用于电源轨之间的电平隔离与反向电流阻断，保障系统的正常上电时序与运行安全。由于其小型化封装和高集成度特点，尤其适合用于智能手机、智能手表、蓝牙耳机、智能家居节点等追求轻薄短小的产品设计中。工业级应用方面，该器件也可见于PLC输入模块、远程I/O单元及低功耗传感器网络中，提供可靠的电源保护功能。

RB530V-30TE15
　　PMDS333ED
　　BAS40-03W