时间：2025/8/14 10:01:22
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RB521S30_R1是一款由ROHM（罗姆）公司生产的双通道肖特基势垒二极管（SBD，Schottky Barrier Diode），采用了先进的硅半导体技术，具有低正向压降和快速开关特性。该器件封装在SOD-523的小型封装中，适用于空间受限的便携式电子产品和高密度电路设计。
类型：肖特基势垒二极管（双通道）
最大正向电流（IF）：100 mA
峰值反向电压（VRM）：30 V
正向压降（VF）：最大0.3 V（@ 10 mA）
反向漏电流（IR）：最大100 nA（@ 30 V）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOD-523
RB521S30_R1的核心优势在于其低正向压降（VF），这显著减少了功率损耗，提高了能量转换效率。该器件的快速开关特性使其适用于高频整流和信号检测应用。此外，RB521S30_R1具有良好的热稳定性，即使在高温环境下也能保持稳定的性能。由于其双通道结构，可以在电路中同时处理两个独立的信号路径，提高了电路设计的灵活性。
这款二极管还具有优异的可靠性，在高温和高湿度环境下仍能保持长期稳定工作。SOD-523封装不仅体积小巧，还具备良好的热管理和机械强度，适合在移动设备、可穿戴电子产品和工业控制系统中使用。RB521S30_R1的低功耗设计也有助于延长电池供电设备的续航时间。
RB521S30_R1广泛应用于便携式电子设备、无线通信模块、电源管理系统、电池充电电路、电压检测电路以及高频信号整流等领域。此外，它也适用于需要低功耗和高效率的嵌入式系统和传感器接口电路。
BAV99W, BAS40-04W, RB520S30
