时间：2025/8/14 12:57:11
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RB521S30FN2_R1_00001 是由 ROHM（罗姆）公司生产的一款双通道肖特基势垒二极管（SBD）。该器件采用先进的肖特基势垒技术，具有低正向压降和快速开关特性。RB521S30FN2_R1_00001 主要应用于需要高效能和快速响应的电子电路中，特别是在需要反向电流保护、整流以及高频应用的场合表现优异。该器件采用紧凑的SMD（表面贴装）封装，便于在现代电子设备中使用。
类型：肖特基势垒二极管 (SBD)
结构：双通道共阴极（Dual Common Cathode）
最大正向电流（IF）：200 mA
峰值反向电压（VRM）：30 V
正向压降（VF）：典型值 0.35 V（最大值0.5 V）
反向漏电流（IR）：最大值 10 μA
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOD-523 或类似小型SMD封装
引脚数量：3
RB521S30FN2_R1_00001 具有多个显著的电气和物理特性，使其在众多二极管产品中脱颖而出。首先，其采用了肖特基势垒结构，使该器件在导通时的正向压降（VF）非常低，典型值为0.35V，最大不超过0.5V。这有助于减少电路中的能量损耗，提高系统效率。
其次，该器件具有快速开关性能，适用于高频电路应用。由于肖特基二极管没有反向恢复时间（trr），因此在高频切换过程中能够显著降低开关损耗，提高整体系统性能。
第三，RB521S30FN2_R1_00001 采用小型SMD封装，便于自动化生产并节省电路板空间，适用于便携式设备、电源管理系统以及需要紧凑设计的电子产品。
此外，该器件具有较高的温度耐受能力，可在-55°C至+150°C的温度范围内稳定工作，适合各种严苛环境下的应用。其反向漏电流（IR）较低，最大为10μA，有助于维持电路的稳定性。
最后，RB521S30FN2_R1_00001 采用双通道共阴极结构，允许在单个封装内实现两个独立的肖特基二极管功能，减少了电路板上所需元件的数量，提高了设计的灵活性。
RB521S30FN2_R1_00001 广泛应用于多种电子设备和系统中，特别适用于需要高效能、低功耗和高频率响应的场合。例如，在电源管理系统中，该器件可作为整流器或反向电流保护元件，用于防止电源反接或负载突变导致的电流倒灌。
在DC-DC转换器和AC-DC适配器中，RB521S30FN2_R1_00001 的低正向压降特性有助于提高转换效率，减少发热。此外，在电池充电电路中，它可以作为隔离二极管，防止电池电流回流到充电器中。
由于其快速开关特性，该器件也常用于高频整流电路、信号检测电路以及通信设备中的保护电路。此外，在汽车电子、工业控制、消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中，RB521S30FN2_R1_00001 也得到了广泛应用。
RB521S30CL、RB521S30T2、BAV99、BAR18、RS1AL
