时间：2025/8/15 13:53:22
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RB521S30FN2是一款由Rohm（罗姆）公司制造的双通道肖特基势垒二极管（SBD），采用小型表面贴装封装。该器件结合了肖特基二极管的低正向电压降（Vf）和高开关速度，适用于需要高效能和紧凑设计的电子设备。RB521S30FN2采用双通道配置，两个独立的二极管封装在一个芯片中，适用于多种电源管理和信号处理应用。
类型：肖特基势垒二极管（双通道）
最大重复峰值反向电压：30V
最大平均正向电流：100mA（每个通道）
正向电压（Vf）：最大0.35V（在If=100mA时）
反向漏电流：最大1μA（在25°C时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
存储温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：SOT-563（DFN106-8）
RB521S30FN2的主要特性之一是其低正向电压降，这有助于降低功耗并提高能效，尤其在低电压应用中表现突出。其双通道设计允许在单个封装中实现两个独立的二极管功能，从而节省PCB空间并简化电路设计。
此外，RB521S30FN2具有快速开关性能，适用于高频整流和信号处理应用。其反向漏电流极低，能够在高温环境下保持稳定性能，从而提高系统的可靠性。
该器件采用无铅封装，符合RoHS环保标准，适合现代电子制造中对环境友好的要求。SOT-563封装形式支持表面贴装工艺，便于自动化生产并提高焊接可靠性。
RB521S30FN2广泛应用于便携式电子设备、电池供电系统、DC-DC转换器、负载开关、反向电流保护电路以及信号整流和隔离电路。在移动设备中，该器件可以用于电池充电管理电路中的隔离二极管，防止电流倒流，保护电池安全。
由于其低Vf特性，RB521S30FN2也常用于能量收集系统和低功耗传感器节点，以提高整体能效。在通信设备中，该二极管可用于射频信号路径中的检波和隔离功能，确保信号传输的稳定性和准确性。
此外，RB521S30FN2还可用于逻辑电平转换电路、电源多路复用电路以及作为保护二极管使用，防止静电放电（ESD）或瞬态电压对敏感电路造成损害。
BAV99W, RB521S30D, RB521S30T1
