类型：双共阴极肖特基二极管
　　封装：SOD-723
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大正向电流（IF）：150mA
　　峰值脉冲电流（IFSM）：500mA
　　最大正向电压降（VF）：0.38V @ 10mA, 0.58V @ 100mA
　　最大反向漏电流（IR）：0.1μA @ 25°C, 10μA @ 100°C
　　结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　热阻（Rth(j-a)）：400°C/W

RB521S-30GTE61 肖特基二极管具备多项关键特性，使其在众多小型化电子设备中成为理想选择。首先，其采用的肖特基势垒结构显著降低了正向导通电压（VF），典型值仅为 0.38V（在 10mA 条件下），相比传统 PN 结二极管可大幅减少功耗并提升系统效率，尤其适用于电池供电设备以延长续航时间。其次，该器件具有极快的开关速度，反向恢复时间几乎可以忽略不计，因此在高频信号整流与高速开关应用中表现优异，有效避免了因反向恢复电荷引起的能量损耗和电磁干扰问题。
　　该二极管集成两个共阴极配置的独立单元，便于在需要双通道整流或电平移位的电路中简化布局设计，减少元件数量和 PCB 占用面积。SOD-723 封装尺寸仅为 1.2mm × 0.8mm × 0.55mm，属于超小型表面贴装器件，非常适合高密度组装和自动化贴片工艺，有助于实现终端产品的轻薄化设计。同时，器件具有良好的热稳定性和较高的结温耐受能力（最高达 +150°C），可在严苛环境条件下稳定工作。
　　RB521S-30GTE61 还具备较低的反向漏电流，在常温下最大仅为 0.1μA，即便在高温环境下（如 100°C）也能将漏电流控制在 10μA 以内，保证了在低功耗模式下的信号完整性。此外，该器件通过了 AEC-Q101 汽车级可靠性认证，表明其在振动、湿度、温度循环等恶劣工况下仍能保持高性能和长寿命，因此不仅适用于消费类电子产品，也可用于车载信息娱乐系统或传感器模块等汽车电子领域。整体而言，RB521S-30GTE61 凭借其小尺寸、低 VF、高开关速度和高可靠性，是一款极具竞争力的微型肖特基二极管解决方案。

RB521S-30GTE61 广泛应用于多种电子系统中，尤其适合对空间和功耗敏感的便携式设备。常见应用包括智能手机和平板电脑中的电源管理电路，用于电池充放电路径的隔离与防倒灌；在 USB 接口、HDMI 或其他高速数据线路中作为瞬态电压抑制和 ESD 保护元件，防止静电损伤主控芯片；在微控制器 I/O 引脚的电平转换电路中，利用其低 VF 特性实现不同电压域之间的信号兼容；此外，还常用于 DC-DC 转换器的同步整流辅助电路、LCD 偏压生成电路以及各类传感器信号调理模块。
　　由于其共阴极双二极管结构，该器件也适用于差分信号路径的钳位保护，例如在音频放大器输出端或通信接口中限制电压摆幅，防止过压损坏后续电路。在可穿戴设备如智能手表、无线耳机中，得益于其微型封装和低功耗特性，能够有效节省空间并延长电池使用时间。在工业控制和物联网节点设备中，RB521S-30GTE61 可用于信号隔离、电源切换和浪涌保护。此外，因其通过 AEC-Q101 认证，也被广泛用于车载摄像头、导航系统、车内照明控制等非动力总成类汽车电子模块中，提供可靠的信号整流与防护功能。总体来看，该器件适用于任何需要高效、紧凑且可靠的低压肖特基二极管的场合。

RB521YM-30