RB521C30 时间：2025/11/7 23:30:01 阅读：8

RB521C30是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的双通道、共阴极肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode, SBD），采用小型表面贴装封装（通常为SOD-523或同等紧凑型封装），专为便携式电子设备和高密度PCB布局应用设计。该器件内部集成了两个独立的肖特基二极管，其阴极在内部连接在一起，构成共阴极结构，适用于需要双二极管功能且节省空间的电路拓扑。由于肖特基二极管具有低正向导通电压（VF）、快速反向恢复时间以及较低的开关损耗等优点，RB521C30广泛应用于电源管理、信号整流、反向极性保护、电压钳位以及逻辑电平转换等场景。该器件符合RoHS环保要求，并具备良好的热稳定性和可靠性，适合在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备、无线模块及各类嵌入式系统中使用。其小尺寸封装有助于减小整体电路板面积，同时支持自动化贴片生产，提高制造效率。

参数

类型：双共阴极肖特基二极管
　　封装形式：SOD-523
　　每芯片元件数：2
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流阻断电压（VR）：30V
　　最大平均整流电流（Io）：150mA
　　最大正向压降（VF）：0.36V（典型值，IF=0.1mA）；0.58V（最大值，IF=10mA）
　　最大反向漏电流（IR）：0.1μA（典型值，VR=20V）；10μA（最大值，VR=30V）
　　工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　反向恢复时间（trr）：< 4ns（典型值）

特性

RB521C30的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这种结构利用金属与半导体之间的势垒形成单向导电特性，相较于传统的PN结二极管，显著降低了正向导通电压。在低电流工作条件下（例如IF = 0.1mA），其典型正向压降仅为0.36V，这极大地减少了功率损耗，提升了电源转换效率，特别适用于电池供电设备以延长续航时间。此外，在10mA的工作电流下，最大正向压降也不超过0.58V，确保了在轻载和中等负载条件下的高效运行。
　　该器件具备极快的开关速度，反向恢复时间（trr）典型值小于4纳秒，这意味着它可以在高频信号处理电路中迅速响应电压极性的变化，避免因延迟而导致的能量浪费或信号失真。这一特性使其非常适合用于高速开关电源、DC-DC转换器中的续流或箝位二极管，以及数据线路的瞬态抑制保护。由于几乎没有少数载流子储存效应，肖特基二极管不会产生明显的反向恢复电流尖峰，从而降低了电磁干扰（EMI）的风险，有利于满足电磁兼容性设计要求。
　　RB521C30采用SOD-523超小型表面贴装封装，外形尺寸约为1.2mm × 0.8mm × 0.6mm，占用PCB面积非常小，适用于对空间高度敏感的紧凑型电子产品设计。该封装具有良好的热传导性能，能够在有限的空间内有效散热，保障长期稳定工作。器件的额定工作结温可达+125°C，表明其具备较强的耐热能力，可在较高环境温度下可靠运行。同时，其反向漏电流控制优异，在室温下VR=20V时典型值仅为0.1μA，即使在高温环境下也能保持较低水平，减少静态功耗。
　　作为共阴极配置的双二极管，RB521C30常用于双路信号隔离、电源路径选择或OR-ing电路中，实现冗余电源管理或多输入电源自动切换功能。其结构简化了外部布线，提高了系统集成度。所有材料均符合无铅（Pb-free）和绿色环保标准，支持回流焊工艺，适用于现代自动化生产线。综合来看，RB521C30是一款高性能、小尺寸、低功耗的双肖特基二极管，兼顾电气性能与物理紧凑性，是现代便携式电子系统中理想的二极管解决方案之一。

应用

RB521C30广泛应用于多种便携式和高密度电子设备中，主要用于电源管理与信号处理领域。常见应用场景包括：移动设备中的电池充电管理电路，作为防反接和电源路径控制元件；在DC-DC升压或降压转换器中担任续流二极管，利用其低正向压降提升转换效率；用于USB接口或其他通信端口的静电放电（ESD）保护和电压钳位，防止瞬态过压损坏后级IC；在多电源系统中构建OR-ing电路，实现主备电源无缝切换；还可用于逻辑电平转换电路中，隔离不同电压域的数字信号，防止电流倒灌。此外，该器件也适用于传感器模块、无线射频模块、蓝牙耳机、智能手表等空间受限但对能效要求较高的产品。