RB520SM-30 时间：2025/12/25 11:45:01 阅读：9

RB520SM-30是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的双肖特基势垒二极管（SBD），采用先进的沟槽MOS结构制造，封装形式为小型表面贴装型SOD-523。该器件具有低正向电压降和快速开关特性，适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及信号整流等应用场合。其内部集成了两个独立的肖特基二极管，连接方式为共阴极配置，有助于减少PCB布局空间并提升系统集成度。RB520SM-30的工作温度范围宽，通常在-55°C至+150°C之间，确保在严苛环境下的稳定运行。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素设计，满足现代电子产品对绿色环保的要求。得益于其优异的热性能和电气特性，RB520SM-30被广泛应用于便携式设备、通信模块、消费类电子及工业控制领域。

参数

类型：双肖特基势垒二极管
　　封装：SOD-523
　　配置：共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：300mA
　　峰值脉冲正向电流（IFSM）：1.6A
　　最大正向电压（VF）：0.48V @ 300mA, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：0.1μA @ 25V
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　热阻（Rth(j-a)）：350°C/W
　　安装类型：表面贴装
　　引脚数：3

特性

RB520SM-30的核心优势在于其采用高性能肖特基势垒结构，实现了极低的正向导通压降，典型值仅为0.48V，在300mA电流下显著降低了功率损耗，提高了电源转换效率。这一特性使其特别适合用于电池供电设备中，如智能手机、可穿戴设备和物联网终端，能够有效延长续航时间。由于肖特基二极管本身不具备少数载流子存储效应，因此其反向恢复时间几乎可以忽略不计，表现出卓越的高速开关能力，适用于高频DC-DC变换器中的续流或整流环节。
　　该器件的热设计也十分出色，尽管封装尺寸微小（SOD-523仅约1.6mm x 1.2mm），但通过优化芯片与焊盘之间的热传导路径，能够在有限的空间内实现良好的散热性能，热阻约为350°C/W。这使得即使在持续负载条件下也能保持较低的结温升，增强长期使用的可靠性。同时，RB520SM-30具备较高的反向耐压能力（30V），足以应对大多数低压电源系统的瞬态电压波动，保障电路安全。
　　另一个关键特性是其双二极管共阴极结构，这种配置常用于同步整流架构或双通道输出整流，简化了外围电路设计，并减少了所需元器件数量。此外，器件具有出色的反向漏电流控制能力，在常温下最大仅为0.1μA，即便在高温环境下也能维持较低水平，从而避免因漏电导致的能量浪费或误触发问题。所有材料均符合RoHS与无卤要求，支持回流焊工艺，兼容自动化贴片生产线，便于大规模制造。综合来看，RB520SM-30是一款兼顾高效、紧凑与可靠性的理想选择，适用于追求小型化与高能效的现代电子系统。

应用

RB520SM-30主要应用于需要高效率、小体积和快速响应的低压电源管理系统中。常见使用场景包括便携式电子设备的DC-DC转换器，作为续流二极管或防反接保护元件；在USB充电管理电路中用于防止电流倒灌；也可用于电源多路复用切换电路中的隔离二极管。此外，它还广泛用于通信模块、无线传感器网络节点、智能家居控制器等嵌入式系统中，承担信号整流与电源轨隔离功能。由于其高速开关特性，该器件亦适用于高频开关电源拓扑，如升压（Boost）、降压-升压（Buck-Boost）转换器中，协助提升整体转换效率。在工业控制板卡和汽车电子模块中，RB520SM-30可用于低电压电源路径的保护与整流，确保系统在复杂电磁环境中稳定运行。其小型化封装特性尤其适合空间受限的应用，例如TWS耳机、智能手表和其他超薄消费类产品。总之，凡涉及30V以下电压等级且要求低功耗、快速响应和高集成度的场景，RB520SM-30都是一个极具竞争力的解决方案。