型号：RB520S30CTB-R1
　　类型：肖特基势垒二极管
　　通道数：双通道
　　最大正向电流（IF）：300mA
　　最大反向电压（VR）：30V
　　封装类型：SOT-563
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　结电容（Cj）：约10pF（典型值）
　　正向压降（VF）：最大0.45V @ 150mA
　　反向漏电流（IR）：最大100nA @ 30V

RB520S30CTB-R1具备多项优异的电气性能和可靠性特性。首先，其低正向压降（VF）显著降低了导通损耗，提高了整体能效，特别适合电池供电设备的设计。其次，该器件的双通道结构使其能够在需要多个独立二极管的应用中节省空间，同时减少外部元件的数量，简化电路设计。
　　此外，RB520S30CTB-R1的封装设计支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和高密度电路板布局。该器件的工作温度范围广泛（-55°C至+150°C），确保其在极端环境条件下依然能够稳定运行。结电容较低（约10pF）也使得该二极管适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、电源管理和信号整流等。
　　在可靠性方面，RB520S30CTB-R1通过了严格的工业标准测试，具有优异的抗静电能力和长期稳定性，适合用于消费电子、工业控制和通信设备等各类应用场景。

RB520S30CTB-R1广泛应用于多个领域，包括但不限于：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）中的电源管理电路；小型电源系统中的DC-DC转换器；信号整流和隔离电路；以及工业自动化设备中的高频开关电路。由于其低功耗、高效率和紧凑封装的特性，RB520S30CTB-R1在需要节省空间和提高能效的现代电子设计中具有广泛的适用性。

RB521S300T1G, BAT54S, 1N5819, MBRS340