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RB520S-30TE61 发布时间 时间:2025/5/20 16:30:07 查看 阅读:4

RB520S-30TE61是一款高性能的功率MOSFET器件,采用TO-264封装形式。该芯片主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效功率转换的应用场景。其设计优化了导通电阻和开关性能,能够显著提高系统的效率并降低功耗。
  该器件具有出色的热性能和电气特性,适合在高电流、高电压的工作环境下使用。通过采用先进的制造工艺,RB520S-30TE61在保证可靠性的同时还具备较低的成本优势。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):600V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):0.18Ω
  总功耗(Ptot):300W
  结温范围(Tj):-55℃至+175℃
  封装形式:TO-264

特性

RB520S-30TE61具备以下主要特性:
  1. 高耐压能力,适用于高压应用环境。
  2. 极低的导通电阻,可有效减少传导损耗。
  3. 快速开关速度,有助于提升工作效率并降低开关损耗。
  4. 强大的散热性能,确保在高功率运行时的稳定性。
  5. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
  6. 优异的抗静电能力(ESD),提高了器件的可靠性。
  7. 良好的动态和静态特性,适应多种复杂工作条件。
  这些特点使RB520S-30TE61成为许多工业和消费类电子产品的理想选择。

应用

RB520S-30TE61广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)的设计与实现。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 电机驱动电路,包括步进电机和直流电机控制。
  4. 电池充电管理及保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率调节模块。
  6. 照明系统中的LED驱动器。
  7. 逆变器和其他电力电子设备。
  由于其强大的性能和灵活性,这款MOSFET非常适合需要高效率和可靠性的各种应用场景。

替代型号

IRFZ44N
  STP30NF06L
  FQP50N06L

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RB520S-30TE61参数

  • 产品培训模块Diodes Overview
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)30V
  • 电流 - 平均整流 (Io)200mA
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)600mV @ 200mA
  • 速度小信号 =
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电1µA @ 10V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-79,SOD-523
  • 供应商设备封装EMD2
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称RB520S-30TE61DKR