类型：肖特基势垒二极管（SBD）
　　正向电流（IF）：100mA
　　最大反向电压（VR）：40V
　　正向电压（VF）：最大0.35V（在IF=100mA时）
　　反向漏电流（IR）：最大100nA（在VR=40V时）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOD-523（或其他等效SMD封装）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

RB501V-40 T/R 的核心特性之一是其低正向电压降（VF），通常在标准工作条件下仅为0.35V左右，这使得它在低电压、低功耗系统中具有较高的能效表现。肖特基二极管本身具备快速开关能力，而RB501V-40 T/R 在设计上进一步优化了这一特性，使其适用于高频整流和开关电源应用。
　　此外，该器件的反向漏电流（IR）控制在100nA以下，在40V的最大反向电压下仍能保持良好的稳定性和可靠性，这在电池供电设备和低噪声电源设计中尤为重要。封装方面，RB501V-40 T/R 采用SOD-523等小型封装，体积小、重量轻，适合高密度PCB布局，并且具备良好的焊接性能，便于自动化生产。
　　其宽工作温度范围（-55°C至+150°C）也确保了该器件能够在多种环境条件下稳定运行，包括工业级和消费级应用场景。

RB501V-40 T/R 广泛应用于低功耗电子设备中的整流、反向极性保护、电压钳位和高频开关电路中。例如，该器件常见于便携式电子产品（如智能手机、平板电脑、智能手表等）的电源管理模块中，用于防止电池反接或电源切换时的电流回流问题。
　　在DC/DC转换器和升压/降压电路中，RB501V-40 T/R 能有效提高转换效率，减少发热，延长设备续航时间。此外，该器件也常用于通信设备、传感器模块、LED驱动电路以及各种嵌入式系统的电源整流和保护电路中。
　　由于其优异的低VF特性，RB501V-40 T/R 也常被用于电池管理系统（BMS）中的并联电池组隔离，确保各电池单元之间的电压均衡，提升整体系统的安全性和稳定性。

RB501V-30 T/R, RB501V-60 T/R, SS14, BAS40-04W