晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50 V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50 V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5 V
　　集电极电流（IC）：100 mA
　　功耗（PD）：300 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 150°C
　　电流增益（hFE）：110 至 800（根据工作电流不同）
　　过渡频率（fT）：100 MHz

RB491DH 具备良好的高频性能，其过渡频率（fT）可达 100 MHz，适用于高频放大电路和高速开关应用。该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，可根据不同的工作电流在 110 至 800 之间变化，提供了灵活的设计选择。此外，RB491DH 的最大集电极电流为 100 mA，能够满足中低功率电路的需求。该器件采用 SOT-23 小型封装，适合高密度 PCB 布局，并具有良好的热稳定性。
　　在可靠性方面，RB491DH 具有较宽的工作温度范围（-55°C 至 150°C），适用于工业级和消费类电子设备。其集电极-发射极击穿电压为 50 V，能够承受较高的电压应力，适用于多种电源管理电路。RB491DH 的功耗为 300 mW，确保在正常工作条件下不会因过热而失效。此外，该晶体管具备较低的饱和压降（VCE(sat)），有助于提高电路的能效和稳定性。

RB491DH 主要应用于模拟和数字电路中的信号放大和开关控制。由于其高频特性，该晶体管常用于射频（RF）放大器、振荡器和调制电路。在数字电路中，RB491DH 可作为逻辑门电路、缓冲器和驱动器使用。此外，该晶体管也广泛用于电源管理电路、LED 驱动、传感器接口和音频放大器等应用场景。由于其封装小巧，RB491DH 也适用于便携式设备和嵌入式系统中的电路设计。

2N3904, BC547, 2N2222, PN2222