RB471E T148 时间：2025/12/25 14:15:10 阅读：19

RB471E T148是一款由罗姆半导体（Rohm Semiconductor）生产的表面贴装型肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode, SBD），采用小型化SOD-123FL封装。该器件专为高效率、低功耗的电源管理应用设计，具有较低的正向导通电压和快速的开关特性，适用于各类便携式电子设备和高频开关电路中。其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的应用场景，例如智能手机、平板电脑、无线模块以及其他需要小型化和高性能的消费类电子产品。
　　作为一款肖特基二极管，RB471E T148利用金属-半导体结实现单向导电功能，相较于传统的PN结二极管，它在正向导通时表现出更低的压降，从而减少功率损耗并提高系统整体效率。此外，由于其无少数载流子存储效应的特点，具备极快的反向恢复速度，能够在高频整流和开关应用中有效降低开关噪声与能量损耗。该器件符合RoHS环保标准，并支持无铅回流焊工艺，满足现代电子产品对绿色环保制造的要求。

参数

产品类型：肖特基势垒二极管
　　通道数量：单通道
　　封装类型：SOD-123FL
　　包装规格：带状编带（Tape and Reel）
　　极性：单向
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流反向电压（VR）：40V
　　最大平均正向整流电流（IO）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms半正弦波）
　　最大正向压降（VF）：0.51V @ 1A, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：0.1μA @ 25V, 25°C；10μA @ 40V, 125°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值<10ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：约250°C/W
　　安装方式：表面贴装（SMD）

特性

RB471E T148的核心优势在于其出色的电学性能与小型化封装的结合。该器件采用先进的芯片制造工艺，在保证高可靠性的同时实现了极低的正向导通压降。在1A电流下测得的最大VF仅为0.51V，显著低于传统硅二极管的0.7V以上水平，这意味着在相同工作条件下可大幅降低导通损耗，提升电源转换效率。这一特性特别适用于电池供电设备中的电源路径管理、防反接保护以及DC-DC转换器的续流或整流环节。
　　其超快的反向恢复时间（trr < 10ns）使得RB471E T148在高频开关环境中表现优异，能有效抑制因慢速恢复引起的电压振铃和电磁干扰（EMI），有助于简化滤波电路设计并提升系统的电磁兼容性。同时，该器件具有良好的温度稳定性，即使在高温环境下（如125°C结温），反向漏电流仍控制在较低范围内（最大10μA @ 40V），确保长期运行的可靠性和安全性。
　　SOD-123FL封装是该系列的一大亮点，其外形尺寸仅为2.0mm × 1.25mm × 1.0mm（典型值），比标准SOD-123更薄且占用PCB面积更小，有利于实现高密度布局和轻薄化产品设计。该封装还具备良好的散热性能和机械强度，能够承受自动化贴片过程中的热应力和物理冲击。此外，器件内部结构经过优化，具备一定的抗静电能力，并通过了AEC-Q101车规级可靠性测试的部分项目，适用于部分车载电子辅助系统。整体而言，RB471E T148是一款兼顾高性能、小型化与可靠性的理想选择，广泛用于现代高效能电子系统中。

应用

RB471E T148因其低VF、高速开关及小型封装等优点，被广泛应用于多种电源管理和信号处理电路中。常见用途包括便携式消费类电子产品的DC-DC升压/降压转换器中的续流二极管或整流元件，例如在手机背光驱动、USB充电管理模块、锂电池充放电保护电路中起到关键作用。此外，它也常用于电源反接保护电路，防止因电池或外部电源极性接反而损坏主控芯片或其他敏感元件。
　　在工业控制领域，该器件可用于PLC模块、传感器供电单元、隔离电源的次级侧整流等场合，提供高效的能量传递路径。在网络通信设备中，如路由器、交换机的板级电源中，RB471E T148可用于多路电压轨之间的隔离与防倒灌设计，确保各电源域独立稳定工作。
　　由于其支持高频操作，也可用于开关模式电源（SMPS）中的次级整流应用，尤其是在低输出电压（如3.3V、5V）系统中，低VF带来的效率增益更为明显。此外，在汽车电子中的非动力系统（如车载信息娱乐系统、车内照明控制、ADAS辅助模块）中也有应用潜力，配合其较高的结温耐受能力，可在较恶劣的环境温度下稳定运行。其他应用场景还包括AC-DC适配器、LED驱动电源、无线充电接收端电路以及各类嵌入式微控制器系统的电源管理部分。