时间：2025/12/23 20:34:00
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RB461FT106是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率管理应用。该器件采用TO-252小型表面贴装封装，适合于高密度电路设计。其出色的导通电阻和快速开关特性使其在众多电源转换、负载开关和电机驱动应用中表现出色。
RB461FT106具有低导通电阻的特点，从而降低了功率损耗并提升了效率。此外，它具备良好的热稳定性和耐用性，能够在广泛的温度范围内可靠运行。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：6.8A
导通电阻：0.035Ω
总电荷：17nC
栅极电荷：5nC
输入电容：550pF
功耗：29W
工作温度范围：-55℃至175℃
RB461FT106的主要特性包括：
1. 高效的导通性能，典型导通电阻仅为0.035Ω，可显著降低传导损耗。
2. 快速开关速度，支持高频操作，有助于提升系统效率。
3. 采用先进的制程技术，确保低漏电流和高可靠性。
4. 具备强大的耐热能力和过载保护功能，适用于严苛的工作环境。
5. 小型化封装设计，便于实现紧凑型电路布局。
6. 支持高达6.8A的连续漏极电流，满足多种大电流应用场景的需求。
RB461FT106广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器和主开关。
2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
3. 负载开关和电池保护电路。
4. 电机驱动和逆变器控制。
5. 消费类电子产品中的电源管理模块。
6. 工业自动化设备中的功率转换组件。
7. 汽车电子系统中的辅助电源单元。
IRFZ44N
STP55NF06
FDP5580
AO3400
