类型：肖特基势垒二极管
　　封装：SOD-123FL
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流阻断电压（VR）：30V
　　平均整流电流（IO）：1A
　　正向压降（VF）：0.48V（典型值，IF=1A）
　　最大正向压降（VF(max)）：0.6V（IF=1A, TJ=25°C）
　　反向漏电流（IR）：0.1μA（典型值，VR=30V）
　　最大反向漏电流（IR(max)）：100μA（VR=30V, TJ=125°C）
　　反向恢复时间（trr）：＜5ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　储存温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　热阻（Rth(j-c)）：150°C/W

RB435C的核心特性之一是其低正向电压降，在1A的正向电流下，典型值仅为0.48V，最大不超过0.6V，这一特性使其在大电流导通状态下能显著减少功率损耗，从而提升整体系统的能效。这对于电池供电设备尤为重要，因为它可以直接延长电池续航时间。此外，低VF也意味着更少的热量产生，降低了对散热设计的要求，有利于实现紧凑型高密度电源设计。
　　另一个关键优势是其极快的反向恢复时间（trr < 5ns）。由于肖特基二极管的工作机制不依赖于少数载流子的复合过程，因此几乎不存在反向恢复电荷（Qrr），这使得RB435C在高频开关应用中表现优异，有效减少了开关损耗和电磁干扰（EMI）。这种快速响应能力使其非常适合用于同步整流、DC-DC变换器中的续流或箝位二极管，以及各种高速开关电路。
　　RB435C采用SOD-123FL超薄小型化封装，外形尺寸仅为2.0mm × 1.25mm × 1.1mm，支持自动化贴片生产，适用于高密度印刷电路板布局。该封装具有较低的寄生电感和良好的热传导性能，进一步提升了器件在高频环境下的稳定性。同时，该器件具备高达+150°C的最大结温，确保在高温环境下仍可安全运行，适用于严苛的工业和车载电子应用。
　　该二极管还表现出优异的反向漏电流控制能力，在常温下反向漏电仅0.1μA，即使在125°C高温条件下也能将漏电流控制在100μA以内，保证了在待机或轻载状态下的低静态功耗。综合来看，RB435C以其高效、快速、可靠和小型化的特性，成为现代电源管理系统中不可或缺的关键元件。

RB435C广泛应用于各类需要高效能、小体积和快速响应的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的DC-DC升压或降压转换器，作为续流二极管或防倒灌二极管使用，有效防止能量回流并提高转换效率。在LED驱动电源中，它可用于防止反向电压损坏LED模组，同时降低导通损耗以提升光效。此外，该器件也常用于笔记本电脑、智能手机和平板电脑的电源管理模块，为电池充放电回路提供极性保护和电压隔离功能。
　　在通信设备和网络终端设备中，RB435C被用于隔离不同电源域之间的干扰，保障信号完整性。其快速响应特性也使其适用于高频开关电源（SMPS）中的输出整流环节，尤其是在低电压大电流输出场景下，能显著减少整流损耗。另外，在太阳能充电控制器、USB PD电源适配器和无线充电发射端电路中，该二极管可用于防止反向电流流动，提高系统安全性与效率。
　　工业控制领域中，RB435C可用于PLC模块、传感器供电电路和电机驱动器中的保护电路，防止因电源反接或瞬态电压造成损坏。其高可靠性和宽温度适应性也使其适用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统、车身控制模块和辅助电源单元。总之，凡是对效率、尺寸和响应速度有较高要求的应用场合，RB435C都是一个理想的选择。

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