型号：RB225T100
　　制造商：ROHM
　　器件类型：肖特基势垒二极管
　　封装/外壳：SOD-123
　　反向重复电压 VRRM：20V
　　最大平均整流电流 IO：2A
　　峰值正向浪涌电流 IFSM：50A（单个半波）
　　最大正向电压 VF：0.48V @ 2A, 25°C
　　最大反向漏电流 IR：0.1mA @ 20V, 25°C
　　反向恢复时间 trr：<10ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　热阻 Rth(j-a)：250°C/W（典型值）

RB225T100的核心优势之一是其低正向导通压降特性，这得益于其采用的肖特基势垒结构。与传统的PN结二极管相比，肖特基二极管利用金属-半导体接触形成势垒，避免了少数载流子的存储效应，从而实现了更低的导通压降和更快的开关速度。在实际应用中，这种低VF特性可以显著减少导通损耗，特别是在大电流或电池供电系统中，有助于延长续航时间并提升能效。例如，在DC-DC转换器的同步整流替代方案中，使用RB225T100可以有效降低输出级的功率损耗，提高转换效率。
　　其次，该器件具备出色的高频响应能力。由于其反向恢复时间极短（trr < 10ns），几乎不存在反向恢复电荷（Qrr），因此在高频开关电源、PWM调制电路或逆变器中能够大幅减少开关噪声和电磁干扰（EMI）。这一特性使其成为开关电源次级整流、续流二极管以及高频整流桥的理想选择。此外，快速的开关响应还能防止因反向恢复引起的电压尖峰，保护后级电路元件免受损坏。
　　RB225T100还具备较高的浪涌电流承受能力，峰值正向浪涌电流可达50A（基于JEDEC标准的单个半波测试条件），意味着它可以在短时间内承受较大的瞬态电流冲击，如开机瞬间的浪涌或负载突变情况下的电流峰值。这一特性增强了其在实际应用中的鲁棒性，提高了系统的安全裕度。结合其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），该器件可在高温环境（如封闭式电源模块或靠近发热源安装）中稳定运行，展现出卓越的热稳定性。
　　从封装角度来看，SOD-123是一种紧凑型表面贴装封装，尺寸约为2.7mm × 1.6mm × 1.1mm，非常适合自动化贴片生产。其引脚共面性好，焊接可靠性高，支持回流焊和波峰焊等多种焊接方式。此外，该封装具有较低的热阻（Rth(j-a) ≈ 250°C/W），有利于热量从芯片传导至PCB，进一步提升散热效率。综合来看，RB225T100凭借其低VF、快恢复、高可靠性及小型化封装，成为现代电子系统中不可或缺的基础元器件之一。

RB225T100广泛应用于各类需要高效整流和快速响应的电子电路中。常见用途包括开关电源（SMPS）中的次级侧整流二极管，尤其是在低压输出（如5V、3.3V、1.8V）的AC-DC和DC-DC转换器中，用于替代传统快恢复二极管以提高效率。由于其低正向压降特性，特别适合用作同步整流的补充或在非同步整流拓扑中作为主整流元件。
　　另一个重要应用场景是作为续流二极管（Freewheeling Diode）连接在电感性负载（如继电器、电机、电磁阀）两端，用于抑制断电时产生的反电动势，保护驱动晶体管或其他控制器件。在这种情况下，RB225T100的快速反向恢复能力可有效减少电压振荡和能量损耗，确保系统稳定运行。
　　此外，该器件也常用于电池供电设备中的防反接保护电路，通过串联方式接入电源路径，防止用户错误接入反向电压导致设备损坏。其低导通压降可最大限度减少对电池电压的影响，延长使用时间。
　　在便携式消费电子产品（如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机）、工业控制系统（PLC、传感器模块）、网络通信设备（路由器、交换机电源模块）以及LED照明驱动电源中，RB225T100均发挥着关键作用。其小型化封装也使其适用于空间受限的高密度PCB设计场景。

RB224T100
　　RB226T100
　　SS24
　　SS34
　　MBR240