时间：2025/12/25 13:30:42
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RB168VAM150TR是一款由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）生产的表面贴装型肖特基势垒二极管（SBD），采用先进的平面结构制造工艺，专为高效率、高频开关应用设计。该器件封装在紧凑的DFN1010封装中，尺寸仅为1.0mm x 1.0mm，厚度约0.55mm，适用于对空间要求极为严格的便携式电子设备和高密度PCB布局场景。RB168VAM150TR具有低正向电压降（VF）和快速反向恢复特性，能够显著降低功率损耗并提升系统整体能效。其主要面向消费类电子产品、移动电源管理单元、DC-DC转换器、电池充电电路以及各类信号整流与保护电路等应用场景。该产品符合AEC-Q101车规级可靠性标准，具备良好的温度稳定性和长期工作可靠性，同时支持无铅焊接工艺和符合RoHS环保指令要求，适合自动化贴片生产流程。由于其优异的热性能和电气性能平衡，RB168VAM150TR在现代低功耗、高性能电子系统中被广泛采用作为关键的功率整流元件。
型号：RB168VAM150TR
类型：肖特基势垒二极管（SBD）
封装形式：DFN1010
引脚数：2
最大重复峰值反向电压（VRRM）：15V
最大直流反向电压（VR）：15V
最大平均正向整流电流（IF(AV)）：200mA
最大正向压降（VF）：450mV @ IF=100mA
最大反向漏电流（IR）：0.1μA @ VR=15V
工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +125°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
反向恢复时间（trr）：典型值 < 1ns
热阻（Rth(j-a)）：约450°C/W（依PCB条件而定）
安装方式：表面贴装（SMD）
符合环保标准：符合RoHS、不含卤素、符合AEC-Q101
RB168VAM150TR的核心优势在于其出色的低正向电压降性能，在100mA的工作电流下，典型正向压降仅为450mV，这有效减少了导通状态下的功率损耗，提高了电源转换效率，尤其适用于电池供电设备以延长续航时间。得益于肖特基势垒结构的天然特性，该器件没有少数载流子储存效应，因此具备极快的开关速度，反向恢复时间trr小于1纳秒，几乎可以忽略不计，使其非常适合用于高频整流场合，如开关电源中的续流或防倒灌电路。此外，其微小的DFN1010封装不仅节省宝贵的PCB面积，还通过优化的内部引线设计降低了寄生电感和电阻，提升了高频响应能力。该器件在宽温度范围内表现出稳定的电气特性，即使在高温环境下也能维持较低的漏电流水平，确保系统安全可靠运行。RB168VAM150TR通过了AEC-Q101车规认证，意味着它经过了严格的应力测试，包括高温反偏、温度循环、高湿高压试验等，具备出色的抗环境干扰能力和长期可靠性，可用于汽车电子中的小型传感器模块或辅助电源电路。封装材料采用模塑料密封，提供良好的机械强度和防潮性能，同时兼容回流焊工艺，适合大规模自动化生产。
另一个重要特点是其低反向漏电流，在室温下典型值仅为0.1μA，有助于减少待机功耗，特别适用于需要长时间待机的物联网设备或可穿戴产品。虽然额定电流为200mA，但结合良好的散热设计可在短时间内承受更高的脉冲电流。此外，该器件无铅且不含卤素，符合现代绿色电子制造的趋势。综合来看，RB168VAM150TR是一款集小型化、高效能、高可靠性于一体的先进肖特基二极管，适用于多种对空间和能效有严苛要求的应用领域。
广泛应用于便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑、TWS耳机中的电源管理电路；用于DC-DC升压或降压转换器中的续流二极管；在电池充放电保护电路中作为防反接或防倒灌元件；适用于各类低电压、小电流的信号整流与箝位电路；可用于汽车电子中的小型控制模块、车载传感器供电路径隔离；也常见于无线充电接收端电路、移动电源内部电源切换路径以及各类微型电源适配器中。
RB162LAM150FTR
SBM1601LAM150TR
DF1B15L
