型号：RB162MM-60TR
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　二极管类型：双通道肖特基势垒二极管
　　封装/外壳：SOD-123W
　　最大重复峰值反向电压 VRRM：60V
　　最大平均整流电流 IO（单个二极管）：200mA
　　峰值浪涌电流 IFSM：4A
　　正向电压降 VF（典型值）：0.47V @ 100mA, 25°C
　　反向漏电流 IR（最大值）：100μA @ 60V, 25°C
　　反向恢复时间 trr（典型值）：≤5ns
　　工作结温范围 TJ：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围 Tstg：-55°C 至 +150°C
　　引脚数量：2
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　湿度敏感等级（MSL）：1（260°C，最长回流时间）

RB162MM-60TR的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这种金属-半导体结相比传统的PN结二极管具有更低的正向导通压降和几乎可以忽略的少数载流子存储效应，从而实现极快的开关速度和更低的能量损耗。在实际应用中，该器件在100mA电流下的典型正向压降仅为0.47V，远低于普通硅二极管的0.7V以上水平，这意味着在相同负载条件下可减少约30%的导通损耗，对于追求高能效的小功率电源系统尤为重要。同时，由于没有少子积累现象，其反向恢复时间trr被控制在5纳秒以内，极大降低了开关过程中的尖峰噪声和电磁干扰（EMI），有助于提升电源系统的稳定性与EMC性能。
　　该器件的双通道设计提供了更高的集成度，在有限的PCB空间内实现了两个独立整流或隔离功能，特别适合用于双路DC-DC变换器、OR-ing二极管配置或冗余电源切换电路。每个通道均可独立工作，最大平均整流电流达200mA，足以应对大多数低功耗应用场景。此外，60V的反向耐压能力使其不仅适用于5V、12V等常见低压系统，也能在某些18V或24V总线系统中安全运行，具备较强的通用性。
　　SOD-123W封装不仅体积小巧（典型尺寸约为2.7mm x 1.8mm x 1.1mm），还具备良好的散热性能和机械强度，适合自动化贴片生产，并可通过标准回流焊工艺进行焊接。器件通过了AEC-Q101车规级可靠性测试的部分项目，虽非完全车规认证型号，但仍可在部分车载信息娱乐系统或辅助电源中使用。ROHM提供的详细技术文档包括热阻参数、I-V曲线、温度依赖性数据等，便于工程师进行精确的热设计与寿命评估。整体而言，RB162MM-60TR是一款兼顾高性能、小尺寸与高可靠性的双肖特基二极管，适用于现代高密度电子产品对效率与空间的双重需求。

RB162MM-60TR广泛应用于多种需要高效、快速整流的低电压、小电流电子系统中。典型应用之一是作为DC-DC转换器中的续流二极管或同步整流辅助二极管，尤其在升压（Boost）、降压（Buck）和反激式（Flyback）拓扑结构中，利用其低VF和快速响应特性来减少能量损失并提高转换效率。在便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，它常用于电池充放电管理电路，防止电流倒流，保护锂电池免受反向充电损害。
　　此外，该器件也适用于电源路径管理（Power Path Management）电路，在主电源与备用电池之间实现自动切换，确保系统持续供电。在USB供电、移动电源（Power Bank）和无线充电模块中，RB162MM-60TR可用于隔离不同电源域，避免环流产生。其高频特性使其成为射频模块和高速数字电路中电源去耦和噪声抑制的理想元件。
　　在工业控制领域，该二极管可用于传感器供电隔离、PLC输入接口的钳位保护以及继电器驱动电路的反电动势吸收。由于其具备一定的抗瞬态脉冲能力（IFSM=4A），也可在轻载条件下的过压箝位或ESD保护电路中发挥作用。在LED照明驱动中，它可以作为防反接二极管使用，防止安装错误导致的损坏。总之，RB162MM-60TR凭借其优异的电气性能和紧凑封装，已成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

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　　 "RB162MM-60TE2",
　　 "RB162LS-60TR",
　　 "SS12FL",
　　 "SBM260A-TP",
　　 "DSK26"
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