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RB162M-60 发布时间 时间:2025/12/25 13:28:33 查看 阅读:12

RB162M-60是一款由瑞隆源(Rectron Semiconductor)或类似厂商生产的表面贴装肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),广泛应用于中等功率的整流和续流电路中。该器件采用SMA(DO-214AC)封装,具有紧凑的外形尺寸,适合在空间受限的PCB设计中使用。其主要设计目标是提供低正向压降和快速开关特性,从而提高电源转换效率并减少热损耗。RB162M-60的额定平均整流电流为1.5A,最大反向重复峰值电压为60V,适用于多种低压直流电源系统中的整流、防反接保护以及续流二极管应用。由于其采用肖特基势垒结构,该二极管避免了传统PN结二极管中存在的少数载流子存储效应,因此具备极短的反向恢复时间(通常小于10ns),特别适合高频开关电源、DC-DC转换器和逆变器等对响应速度要求较高的场合。此外,SMA封装支持自动贴片工艺,便于大规模生产组装,并具备良好的散热性能,在适当布局下可有效传导工作时产生的热量。

参数

类型:肖特基二极管
  最大重复峰值反向电压(VRRM):60V
  最大直流阻断电压(VR):60V
  最大RMS电压(VRMS):42V
  最大平均整流电流(IO):1.5A
  峰值浪涌电流(IFSM):30A
  最大正向压降(VF):600mV @ 1.5A, 25°C
  最大反向漏电流(IR):1mA @ 60V, 25°C
  反向恢复时间(trr):<10ns
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +125°C
  存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
  封装:SMA(DO-214AC)

特性

RB162M-60的核心优势在于其低正向导通压降与快速开关响应能力,这使其在高效率电源管理应用中表现优异。在典型工作条件下,当通过1.5A电流时,其正向压降仅为600mV左右,远低于传统硅整流二极管(如1N4007系列)的约800–1000mV水平。这一特性显著降低了导通期间的能量损耗(P = VF × IF),从而提升整体能效并减少散热需求。例如,在一个输出电流为1.5A的同步降压变换器中作为续流二极管使用时,RB162M-60每秒钟因导通损失消耗的能量比标准PN结二极管减少近30%,这对延长电池供电设备的工作时间或降低温升至关重要。
  另一个关键特性是其极短的反向恢复时间(trr < 10ns)。由于肖特基二极管基于金属-半导体接触而非PN结,不存在少数载流子的积累与抽取过程,因此在从导通状态切换到截止状态时几乎没有反向恢复电荷(Qrr)。这种“软”关断行为不仅减少了开关瞬态过程中产生的电磁干扰(EMI),还避免了因反向恢复电流引起的额外功耗和电压尖峰,特别有利于提高高频开关电源的稳定性和可靠性。同时,该器件能够在-55°C至+125°C的宽结温范围内正常工作,适应严苛环境下的运行需求。SMA封装提供了良好的热传导路径,配合适当的PCB铜箔设计,可实现有效的热量散发,确保长期工作的稳定性。

应用

RB162M-60常用于各类中低功率电源系统中,作为整流、续流、防反接及电压钳位元件。典型应用场景包括AC-DC适配器、DC-DC升压/降压转换器、太阳能充电控制器、LED驱动电源以及消费类电子产品中的板级保护电路。在同步整流尚未普及或成本受限的设计中,它可作为次级侧整流元件,替代传统的快恢复二极管以提高效率。此外,由于其快速响应特性,也广泛应用于脉冲宽度调制(PWM)电机驱动电路中作为感性负载的续流路径,防止MOSFET或IGBT在关断时因反电动势而损坏。在电池供电系统中,RB162M-60可用于防止电池反向插入导致的短路风险,起到单向导通保护作用。其小型化表面贴装封装也使其成为便携式电子设备的理想选择,如移动电源、蓝牙耳机充电仓、智能手表等对空间高度敏感的产品。工业控制模块、通信设备电源单元以及汽车电子辅助系统(非高温区)同样常见其身影。

替代型号

SR160
  SS14
  MBR140
  1N5819
  RB156M-60

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