时间:2025/12/25 13:50:50
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RB162M-60 TR是一款由ROHM(罗姆)半导体公司生产的表面贴装肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用SOD-123FL小型化封装。该器件专为高效率、低功耗的电源应用设计,广泛用于便携式电子设备和高频开关电源中。其主要特点是具有较低的正向导通压降(VF)和快速的反向恢复时间(trr),能够显著降低开关损耗,提高整体系统效率。该二极管的最大重复峰值反向电压(VRRM)为60V,最大平均整流电流(IF(AV))为1A,适用于低压直流电路中的整流、续流、防反接以及电源隔离等应用场景。由于其紧凑的封装尺寸和优异的热性能,RB162M-60 TR非常适合空间受限且对散热有一定要求的设计。此外,该器件符合RoHS环保标准,并具备良好的可靠性和长期稳定性,适合在消费类电子产品、通信设备、工业控制模块及LED照明电源中使用。
型号:RB162M-60 TR
封装:SOD-123FL
极性:单个肖特基二极管
最大重复峰值反向电压 VRRM:60V
最大直流阻断电压 VR:60V
最大平均整流电流 IF(AV):1A
峰值非重复浪涌电流 IFSM:30A
最大正向电压降 VF:850mV(在IF = 1A, TJ = 25°C条件下)
最大反向漏电流 IR:200μA(在VR = 60V, TJ = 25°C)
典型结电容 CJ:40pF
最大反向恢复时间 trr:10ns
工作结温范围 TJ:-55°C 至 +150°C
存储温度范围 Tstg:-55°C 至 +150°C
RB162M-60 TR的核心优势在于其采用了先进的肖特基势垒结构,实现了极低的正向导通压降与超快的开关响应速度。在1A的工作电流下,其正向压降典型值仅为850mV,相较于传统的PN结二极管可大幅减少导通损耗,提升电源转换效率。这一特性使其特别适用于电池供电设备或对能效有严格要求的应用场景,如移动电源、USB充电模块和DC-DC转换器的续流与箝位电路。
该器件具备仅10ns的反向恢复时间(trr),几乎无少数载流子存储效应,因此在高频开关环境下表现出色,能够有效抑制电压振铃和电磁干扰(EMI),从而增强系统的稳定性和可靠性。此外,SOD-123FL封装具有较小的占板面积(约2.1mm x 1.3mm)和低热阻特性,有利于实现高密度PCB布局并改善散热性能,适合自动化贴片生产流程。
RB162M-60 TR还具备良好的高温稳定性,在结温升至+125°C时仍能维持较高的可靠性,反向漏电流增长相对可控,确保在恶劣工作条件下的长期运行安全。器件通过AEC-Q101车规级认证的部分批次产品可用于汽车电子系统,如车载充电器和车身控制模块。同时,产品符合无铅和RoHS指令要求,支持绿色环保制造。内置的保护机制包括过热保护设计(依赖于PCB散热能力)和瞬态浪涌承受能力(IFSM达30A),增强了在异常工况下的鲁棒性。
RB162M-60 TR广泛应用于各类中小型功率电子系统中。常见用途包括作为DC-DC升压或降压转换器中的续流二极管,利用其快速响应和低VF特性来提高转换效率;在反激式开关电源中用作输出整流元件,尤其适用于5V至24V输出范围的小功率适配器设计;还可用于电池管理系统中的防反接保护电路,防止因电池极性接反而损坏后级电路。
在便携式消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等,该器件常被集成于充电管理模块中,用于路径控制和电源切换。此外,在LED驱动电源中,RB162M-60 TR可用作泄放二极管或辅助整流元件,帮助提升光效一致性与系统稳定性。工业领域中,它也被用于传感器供电回路、继电器飞轮二极管以及PLC输入输出接口的保护电路。
由于其小封装和高频性能,该器件同样适用于通信设备中的信号整流与ESD防护辅助电路。在太阳能充电控制器、小型UPS不间断电源和物联网终端设备中也有广泛应用。总体而言,任何需要高效、紧凑且可靠的低压整流解决方案的场合,RB162M-60 TR都是一个理想选择。
SBM160HE3/60
1N5819WS
MBR160FTN
BAT54C-WT
SS16-E3/61