型号：RB160VA-60TR
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　二极管类型：肖特基势垒二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：60V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：1.0A
　　正向压降（VF）：典型值0.48V @ 1.0A, 最大值0.58V @ 1.0A
　　最大反向漏电流（IR）：0.1mA @ 25°C, 60V；随温度升高而增加
　　最大浪涌电流（IFSM）：30A @ 8.3ms 半正弦波
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值≤30ns（非常快，接近零恢复特性）
　　热阻（RθJA）：约200°C/W（依PCB布局而异）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　包装形式：卷带（Tape & Reel）
　　湿度敏感等级（MSL）：1级（可承受回流焊）
　　符合标准：RoHS、无卤素（Halogen-free）

RB160VA-60TR作为一款高性能的肖特基势垒二极管，其最显著的特性之一是极低的正向导通压降（VF）。在1A的工作电流下，典型值仅为0.48V，最大不超过0.58V。这一特性极大地减少了导通状态下的功率损耗，提高了电源转换效率，尤其适用于对能耗敏感的便携式设备如智能手机、平板电脑和移动电源等。相比传统的PN结二极管，肖特基结构利用金属-半导体接触形成势垒，避免了少数载流子的储存效应，因此不存在明显的反向恢复电荷，使得该器件具备极快的开关响应能力。实测反向恢复时间（trr）通常小于30纳秒，几乎可以视为“无反向恢复”，有效降低了开关瞬态过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），非常适合用于高频DC-DC变换器、PWM控制电路以及同步整流拓扑中作为续流或隔离元件。
　　该器件的反向耐压为60V，足以应对大多数低压电源系统的需求，例如12V、24V甚至48V供电架构中的瞬态波动。尽管肖特基二极管通常存在相对较高的反向漏电流，但RB160VA-60TR通过优化的芯片设计将室温下的最大漏电流控制在0.1mA以内，在正常工作条件下不会对系统造成明显影响。同时，其结温可高达+150°C，表明其具有出色的热稳定性，能够在恶劣环境或高负载运行时维持可靠工作。SOD-123FL封装体积小巧（典型尺寸约为2.7mm x 1.6mm x 1.1mm），支持高密度PCB布线，并具备良好的散热性能，尤其是在配合大面积铜箔敷设时可显著降低热阻。此外，该器件通过了工业级可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、温度循环和高压蒸煮试验，确保在各类应用场景中具备长久的使用寿命和稳定性。

RB160VA-60TR因其高效的整流能力和快速的动态响应，被广泛应用于多种电力电子系统中。在开关模式电源（SMPS）中，它常被用作输出端的续流二极管或自由轮二极管，特别是在降压（Buck）、升压（Boost）和反激式（Flyback）转换器中，协助实现高效的能量传递并减少热量积聚。由于其低VF特性，特别适合用于电池充电管理电路中，以最小化充电路径上的压降损失，从而延长续航时间。在便携式消费类电子产品如智能手表、无线耳机和物联网传感器节点中，该器件可用于电源切换、反接保护和负载隔离功能，提升整体能效和安全性。此外，RB160VA-60TR也常见于LED驱动电源、USB供电接口（如PD协议适配器）、小型逆变器和DC电机控制系统中，发挥其在高频开关环境下的优势。
　　在通信设备领域，该二极管可用于信号路径的钳位保护，防止静电放电（ESD）或电压尖峰对敏感IC造成损害。由于其快速响应特性，也能在脉冲功率系统中作为瞬态抑制辅助元件使用。在工业控制板卡和嵌入式系统中，RB160VA-60TR常用于电源轨之间的隔离与冗余切换，确保主备电源无缝切换时不会发生倒灌现象。此外，其表面贴装封装形式非常适合自动化生产线，广泛用于回流焊接工艺，保证了大批量制造的一致性和良率。总体而言，该器件适用于任何需要高效、小型化和高可靠性的低压直流电源管理系统，是现代绿色节能电子设计的理想选择之一。

RB160M-60TF
　　SR160
　　SS16
　　MBR160
　　BAT54C