时间：2025/12/25 13:16:32
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RB160M-90是一款表面贴装的肖特基势垒二极管，广泛应用于低压、高频整流场合。该器件采用先进的芯片工艺制造，具有低正向电压降和快速开关特性，能够有效提升电源转换效率并减少能量损耗。其额定平均正向整流电流为1A，在典型的开关电源、DC-DC转换器、续流与极性保护电路中表现出色。由于其封装紧凑且热性能良好，RB160M-90特别适合对空间要求严格的便携式电子设备使用，如智能手机、平板电脑、USB充电设备以及各类消费类电子产品中的电源管理模块。此外，该二极管具备良好的反向击穿电压耐受能力，标称重复峰值反向电压为90V，确保在常见电源系统中稳定可靠运行。其工作温度范围较宽，通常可在-55°C至+125°C环境下正常工作，满足工业级和商业级应用需求。整体而言，RB160M-90以其高效率、小尺寸和高可靠性成为现代电子设计中常用的功率整流元件之一。
该器件常采用SMA（DO-214AC）封装形式，便于自动化贴片生产，并具有优良的散热性能和机械强度。在PCB布局中，合理设计焊盘和散热路径可以进一步提升其电流承载能力和长期工作的稳定性。同时，作为非雪崩 rated 器件，应避免在可能发生电压过冲或感性负载突变的应用中无保护使用，建议配合TVS或RC缓冲电路以提高系统鲁棒性。
型号：RB160M-90
类型：肖特基势垒二极管
封装/包：SMA (DO-214AC)
平均正向整流电流：1A
重复峰值反向电压：90V
最大正向压降：0.575V @ 1A, 25°C
最大反向漏电流：0.5mA @ 90V, 25°C
工作结温范围：-55°C ~ +125°C
热阻抗：50°C/W（典型）
峰值浪涌电流：30A @ 8.3ms 半正弦波
电容：约65pF @ 4V
反向恢复时间：≤ 5ns
RB160M-90的核心优势在于其低正向导通压降与快速开关响应能力。这种肖特基二极管利用金属-半导体结形成势垒，相较于传统的PN结二极管，显著降低了导通时的能量损耗。在1A电流条件下，其正向压降仅为0.575V左右，这意味着功耗大幅降低，尤其适用于高效率电源设计。例如，在DC-DC升压或降压电路中，使用RB160M-90可有效减少发热，提升整体能效，延长电池续航时间。此外，由于其反向恢复时间极短（通常小于5ns），在高频开关环境中不会产生明显的反向恢复电荷，从而减少了开关噪声和电磁干扰（EMI），有助于简化滤波电路设计并提高系统稳定性。
该器件具备良好的热管理和电气可靠性。SMA封装提供了足够的散热路径，使其能够在连续工作状态下承受较高的电流负载。尽管其额定电流为1A，但在良好散热条件下可短时承受更高电流。其最大结温可达125°C，支持在严苛环境下的稳定运行。此外，较低的寄生电容（约65pF）使其在高频应用中表现优异，适用于高达数百kHz甚至MHz级别的开关频率场景。虽然肖特基二极管普遍存在的问题是相对较高的反向漏电流，但RB160M-90通过优化工艺将漏电流控制在0.5mA以内（在90V反偏下），在同类产品中处于较好水平。
需要注意的是，肖特基二极管的反向击穿电压较低，不具备雪崩能力，因此在可能出现电压尖峰的应用中需采取额外保护措施，如增加钳位二极管或RC吸收网络。总体来看，RB160M-90是一款性价比高、性能稳定的通用型肖特基整流二极管，适用于多种中低功率电源拓扑结构。
RB160M-90广泛应用于各类中小功率电源系统中，包括但不限于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC适配器、LED驱动电源、电池充电管理电路以及反向极性保护电路。在便携式电子设备中，它常用于同步整流替代方案无法实现时的续流二极管，提供高效的能量回馈路径。此外，也适用于太阳能充电控制器、小型逆变器及各类消费类电子产品中的电压整流环节。由于其快速响应特性，还可用于高频信号检波或箝位电路中。在工业控制领域，该器件可用于PLC模块、传感器供电单元等对效率和空间有要求的场合。
SR1090
SS1P90
SBM160M
MBR160
