RB160M-20 时间：2025/12/25 13:27:53 阅读：16

RB160M-20是一款表面贴装肖特基势垒二极管，广泛应用于低压、高频的整流电路中。该器件采用SMA封装（DO-214AC），具有紧凑的尺寸和良好的散热性能，适合自动化贴片生产。RB160M-20的额定平均正向整流电流为1.0A，最大反向重复峰值电压为20V，属于低电压肖特基二极管类别。由于其较低的正向导通压降（典型值约为0.32V至0.45V）和快速的反向恢复时间（可视为接近于零），RB160M-20在开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及极性保护电路中表现出色。该器件由多家半导体制造商生产，如ROHM、Comchip、Good-Ark等，尽管品牌不同，但引脚兼容且电气特性相近，因此在多数应用中可以互换使用。RB160M-20的工作结温范围通常为-55°C至+125°C，存储温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业级和消费类电子设备。此外，该器件符合RoHS环保要求，无铅且不含卤素，满足现代电子产品对环境友好型元件的需求。由于其优异的开关特性和高效率，RB160M-20常用于便携式设备、笔记本电脑电源管理模块、LED驱动电源及USB供电系统中作为整流或续流二极管。

参数

类型：肖特基势垒二极管
　　封装形式：SMA（DO-214AC）
　　平均正向整流电流：1.0A
　　最大反向重复峰值电压：20V
　　最大直流阻断电压：20V
　　最大均方根电压：14V
　　最大正向电压降：0.45V（在1.0A条件下）
　　最大反向漏电流：0.5mA（在20V条件下）
　　工作结温范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　热阻：60°C/W（从结到环境）
　　峰值浪涌电流：30A（8.3ms单半正弦波）

特性

RB160M-20的核心优势在于其低正向导通压降与高速开关能力的结合，这使得它在能量转换效率要求较高的应用场景中表现尤为突出。肖特基二极管不同于传统的PN结二极管，其工作原理基于金属-半导体接触形成的势垒，因此不存在少数载流子的储存效应，从而实现了几乎为零的反向恢复时间。这一特性显著降低了开关过程中的功率损耗，尤其是在高频DC-DC变换器中，能够有效提升整体系统效率并减少电磁干扰（EMI）。
　　该器件的正向压降在额定电流1A时典型值仅为0.32V~0.45V，远低于普通硅二极管的0.7V左右，这意味着在相同电流下功耗更低，发热量更小，有助于提高电源系统的热稳定性。同时，其最大反向漏电流控制在0.5mA以内（20V下），虽然相比PN结二极管稍大，但在20V低电压应用中仍处于可接受范围。
　　RB160M-20采用SMA封装，具有较小的物理尺寸（约4.3mm x 2.7mm x 2.1mm），便于在高密度PCB布局中使用，并支持回流焊工艺，适应现代SMT生产线的要求。其热阻为60°C/W（结到环境），在自然对流条件下即可实现良好的散热性能，无需额外加装散热片，进一步节省空间和成本。
　　此外，该器件具备较强的浪涌电流承受能力，峰值可达30A，能够在瞬态过载或启动冲击电流情况下保持稳定运行，提高了系统的可靠性。其宽广的工作温度范围使其适用于各种严苛环境下的电子设备，包括工业控制、汽车电子外围电路和通信模块等。综合来看，RB160M-20凭借其高效、紧凑、可靠的特性，成为低压整流领域的一款经典选型器件。

应用

RB160M-20广泛应用于各类需要高效、快速整流的电子电路中。最常见的用途是在开关模式电源（SMPS）中作为次级侧整流二极管，特别是在反激式、正激式和同步整流拓扑结构中，用于将高频交流电压转换为直流输出。由于其低正向压降特性，能显著降低传导损耗，提升电源转换效率，特别适合用于12V或5V输出的AC-DC适配器、充电器和机顶盒电源模块。
　　在DC-DC转换器中，RB160M-20常被用作续流二极管（Flyback Diode）或箝位二极管，配合电感和开关管工作，在开关管关断时提供电流通路，防止感应电压击穿主控芯片。这类应用常见于笔记本电脑主板、嵌入式系统电源管理单元以及LED恒流驱动电路中。
　　此外，该器件也适用于电池充电管理系统中的防反接保护电路，利用其单向导电性阻止电流倒灌，保护充电IC不受损坏。在USB供电设备（如移动电源、Type-C扩展坞）中，RB160M-20可用于电源路径管理，确保外部电源与电池之间的安全切换。
　　其他应用场景还包括逆变器中的高频整流环节、小型电机驱动电路中的续流保护、太阳能充电控制器中的阻塞二极管，以及各类消费类电子产品中的电压箝位与噪声抑制电路。得益于其表面贴装封装和高可靠性，RB160M-20也适合自动化批量生产，广泛服务于通信设备、家用电器、工业仪表和便携式电子设备等领域。