类型：肖特基势垒二极管
　　极性：单路
　　最大反向重复电压（VRRM）：40V
　　最大平均整流电流（IO）：1.5A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：30A
　　最大正向电压降（VF）：0.48V @ 1A, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：0.1μA @ 25°C, 40V；100μA @ 125°C, 40V
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装/焊盘尺寸：DFN2520-10 (2.5×2.0mm)
　　热阻（Rth(j-a)）：约150°C/W（依PCB设计而定）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

RB095BM-40采用ROHM独有的沟槽型肖特基结构技术，这种结构在传统肖特基二极管的基础上引入了深沟槽刻蚀工艺，有效减少了金属-半导体接触面积，从而显著降低了反向漏电流。通常情况下，肖特基二极管虽然具有低正向导通压降的优点，但在高温或高反向偏压下容易出现较大的漏电流，影响系统效率并可能导致热失控。而RB095BM-40通过优化沟槽设计与电场分布，在保证低VF的前提下将高温下的IR控制在极低水平（125°C时不超过100μA），提升了器件在恶劣环境下的稳定性与可靠性。
　　该器件的正向电压降仅为0.48V（在1A、25°C条件下），远低于普通快恢复二极管甚至部分低压肖特基产品，这意味着在大电流导通状态下功耗更低，有助于提高电源转换效率并减少散热需求。对于移动设备和电池供电系统而言，这一点尤为关键，能够延长续航时间并降低温升风险。同时，由于其快速开关特性，反向恢复时间几乎可以忽略不计，避免了因反向恢复电荷引起的开关损耗，特别适合用于高频DC-DC变换器中的续流或整流环节。
　　DFN2520-10封装不仅体积小巧（2.5×2.0×0.95mm），还具备良好的热传导性能，底部带有散热焊盘，可通过PCB实现高效散热。该封装符合JEDEC MO-278标准，支持自动化贴片生产，并具有较高的机械强度和抗振动能力，适用于严苛的工业和车载环境。此外，RB095BM-40经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏置（HTRB）、高温高湿反向偏置（H3TRB）以及温度循环试验，确保长期使用的稳定性。

RB095BM-40因其低正向压降、高效率和小型化封装，被广泛应用于各类需要高效能量转换和空间受限的电子系统中。常见应用场景包括便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等内部的DC-DC降压或升压转换电路中作为同步整流的辅助二极管或防倒灌二极管使用。在这些设备中，电源效率至关重要，RB095BM-40能够有效减少功率损耗，提升电池利用率。
　　在通信模块和物联网终端设备中，该器件可用于电源路径管理，防止主电源与备用电池之间的相互干扰。此外，在LED驱动电路中，它常被用作续流二极管，以消除电感负载断开时产生的反电动势，保护后续电路元件。在汽车电子领域，RB095BM-40凭借其AEC-Q101认证，广泛用于车身控制系统、车载充电器、ADAS传感器模块和仪表盘电源管理单元中，提供可靠的整流与保护功能。
　　工业控制设备、智能家居网关以及小型电源适配器也是其典型应用领域。特别是在多相VRM（电压调节模块）和POL（Point-of-Load）转换器中，RB095BM-40能够胜任高频开关条件下的续流任务，配合MOSFET实现高效同步整流。此外，由于其出色的温度特性和长期稳定性，该器件也适用于户外设备和高温环境中运行的嵌入式系统。

RB095L-40