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RB088NS150TL 发布时间 时间:2025/11/7 20:09:05 查看 阅读:6

RB088NS150TL是一款由罗姆(ROHM)公司生产的表面贴装肖特基势垒二极管(SBD),采用双共阴极配置,适用于高效率、低功耗的电源整流和续流应用。该器件基于先进的半导体工艺制造,具有低正向电压降(VF)和快速反向恢复特性,能够显著降低开关损耗,提高整体电源转换效率。其封装形式为小型化的S-Mini(TP)封装,尺寸紧凑,适合在空间受限的高密度印刷电路板(PCB)上使用。RB088NS150TL广泛应用于便携式电子设备、DC-DC转换器、开关模式电源(SMPS)、逆变器以及各类消费类电子产品中。该器件符合RoHS环保标准,并具备良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的温度范围内稳定工作,适用于工业级和商业级应用场景。

参数

类型:肖特基势垒二极管
  配置:双共阴极
  封装/外壳:S-Mini (TP)
  最大重复反向电压(VRRM):150V
  最大平均正向整流电流(IF(AV)):200mA
  峰值正向浪涌电流(IFSM):8A
  最大正向电压(VF):460mV(典型值,@ IF = 200mA)
  最大反向电流(IR):100μA(@ VR = 150V, Ta = 25°C)
  反向恢复时间(trr):<5ns
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
  热阻(Junction-to-Lead,Rth(j-l)):150°C/W
  极性:双共阴极
  湿度敏感等级(MSL):1级(<=30°C, 85%RH)
  无铅化:符合RoHS标准
  安装类型:表面贴装(SMT)

特性

RB088NS150TL的核心特性之一是其低正向导通电压(VF),在额定电流200mA条件下,典型值仅为460mV,这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗,提升了电源系统的整体能效。由于采用了肖特基势垒结构,该器件不存在少数载流子的储存效应,因此具备极快的开关响应速度,反向恢复时间(trr)小于5纳秒,几乎可以忽略不计。这种超快的恢复能力使其非常适合用于高频开关电路,如DC-DC升压或降压转换器,有效减少因反向恢复引起的尖峰电流和电磁干扰(EMI)。
  该器件采用双共阴极配置,即将两个肖特基二极管的阴极连接在一起,常用于需要共享参考点的电路拓扑中,例如同步整流中的续流路径或半桥结构中的钳位保护。这种设计简化了PCB布局,减少了寄生电感,提高了电路的稳定性与可靠性。S-Mini(TP)封装不仅体积小巧,有助于节省宝贵的PCB空间,还优化了散热性能,确保在有限的散热条件下仍能维持较低的工作结温。
  RB088NS150TL具备良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。其最大工作结温可达+150°C,适用于严苛的工业环境。同时,器件通过了严格的可靠性测试,包括高温反向偏压(HTRB)、高温栅极偏压(HTGB)等,确保长期运行的稳定性。此外,该产品符合国际环保标准,采用无铅焊接工艺和绿色材料,支持现代电子产品对可持续发展的要求。器件的湿气敏感等级为MSL 1,意味着在存储和运输过程中无需特殊防潮包装,降低了生产和物流成本。

应用

RB088NS150TL广泛应用于各类需要高效、小型化整流解决方案的电子系统中。常见用途包括便携式设备中的电池充电管理电路,作为防反接或能量回馈路径的单向导通元件;在DC-DC转换器中充当续流二极管或输出整流二极管,利用其低VF和快速恢复特性提升转换效率;也可用于AC-DC适配器中的次级侧整流环节,尤其是在低功率、高频率设计中表现优异。此外,该器件适用于各类消费类电子产品,如智能手机、平板电脑、智能手表、无线耳机等内部电源模块。在工业控制领域,可用于PLC模块、传感器供电单元、LED驱动电源中的电压钳位和瞬态抑制电路。由于其双共阴极结构,特别适合用于构建半波倍压整流电路或多路输出电源中的共用阴极配置。在电机驱动或H桥电路中,RB088NS150TL可作为飞轮二极管,提供可靠的续流通道,防止感性负载产生的反电动势损坏主开关器件。其小型封装也使其成为自动化设备、医疗电子设备和物联网终端中理想的分立式二极管选择。

替代型号

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RB088NS150TL参数

  • 现有数量886现货
  • 价格1 : ¥12.72000剪切带(CT)1,000 : ¥6.27247卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 二极管配置1 对共阴极
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)150 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)10A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)880 mV @ 5 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏15 μA @ 150 V
  • 工作温度 - 结150°C(最大)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装LPDS