时间：2025/12/25 13:09:37
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RB088BM150TL是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的表面贴装型肖特基势垒二极管（SBD），采用紧凑的CST3封装（即SOD-123F）。该器件专为高效率、小尺寸电源应用而设计，尤其适用于便携式电子设备和高密度PCB布局场景。RB088BM150TL具有低正向电压降（VF）和快速开关特性，使其在DC-DC转换器、电源整流、反向电池保护以及信号箝位等电路中表现出色。其最大重复反向电压（VRRM）为150V，属于中高压肖特基二极管范畴，在保持较低VF的同时实现了较高的耐压能力，这在同类产品中较为少见，体现了ROHM在芯片结构设计与工艺优化方面的技术优势。该器件符合AEC-Q101车规级可靠性标准，适用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统、LED照明驱动和车身控制模块等环境要求严苛的应用。此外，RB088BM150TL还具备良好的热稳定性和抗浪涌电流能力，能够在高温环境下长期稳定运行。产品无铅且符合RoHS环保指令，支持回流焊和波峰焊等多种表面贴装工艺，便于自动化生产组装。由于其优异的电气性能和高可靠性，RB088BM150TL被广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备、通信模块及汽车电子等领域。
型号：RB088BM150TL
制造商：ROHM Semiconductor
封装/包：CST3 (SOD-123F)
极性：单路肖特基二极管
最大重复反向电压 VRRM：150V
最大直流反向电压 VR：150V
最大正向电流 IF(AV)：500mA
峰值正向浪涌电流 IFSM：4A
最大正向电压降 VF @ 500mA：1.25V（典型值）
最大反向漏电流 IR @ 125°C：50μA
结温 TJ：-55°C 至 +150°C
存储温度 Tstg：-55°C 至 +150°C
热阻 RθJA：250°C/W（典型）
工作结温范围：-40°C 至 +150°C
安装类型：表面贴装
RB088BM150TL的核心特性之一是其在150V额定电压下仍能维持相对较低的正向导通压降，典型值在500mA电流条件下仅为1.25V，这一性能显著优于传统硅PN结二极管，并在同级别高压肖特基二极管中处于领先水平。低VF意味着更小的导通损耗，从而提高电源转换效率并减少散热需求，特别适合对功耗敏感的电池供电设备。该器件采用先进的沟槽型肖特基结构（Trench Schottky Structure），有效抑制了高反向偏置下的电场集中效应，提升了击穿电压稳定性与长期可靠性。同时，该结构有助于降低寄生电容，进一步增强高频开关性能，适用于工作频率高达数百kHz甚至MHz级别的开关电源拓扑。
另一个关键特性是其出色的温度稳定性与漏电流控制能力。尽管肖特基二极管普遍存在高温下反向漏电流增大的问题，但RB088BM150TL通过优化金属-半导体接触界面和引入钝化层技术，将125°C时的最大反向漏电流控制在50μA以内，确保在高温工况下仍能保持良好的阻断能力。这种特性对于汽车引擎舱附近或密闭空间内的电子模块尤为重要。
RB088BM150TL还具备优异的抗浪涌能力，可承受高达4A的单次非重复浪涌电流冲击，增强了系统在启动瞬间或异常工况下的鲁棒性。其小型化CST3封装不仅节省PCB空间，还通过优化引线框架设计改善了散热路径，使器件在有限空间内也能实现较好的热管理。整体而言，该器件在效率、尺寸、可靠性和环境适应性之间取得了良好平衡，是一款高性能、高集成度的现代功率二极管解决方案。
RB088BM150TL广泛应用于多种需要高效、小型化整流功能的电子系统中。在消费类电子产品领域，常用于手机、平板电脑、无线耳机等设备的DC-DC升压或降压电源电路中，作为输出整流二极管或防倒灌二极管，提升整体能效并延长续航时间。在工业控制方面，该器件适用于PLC模块、传感器供电单元和隔离电源中的辅助整流环节，提供快速响应和低损耗的电流路径。
在汽车电子系统中，RB088BM150TL因其通过AEC-Q101认证而被广泛采用，常见于车载摄像头电源、仪表盘显示驱动、车身灯光控制系统以及车载充电器等应用场景。其150V耐压能力足以应对汽车12V或24V系统中可能出现的瞬态电压波动（如负载突降Load Dump初期阶段），保障后级电路安全。
此外，该器件也适用于通信设备中的电源模块、USB PD适配器次级侧整流、LED驱动电路中的续流路径，以及各种嵌入式系统的电源轨隔离与逻辑电平切换。由于其快速恢复特性，还可用于高频信号的峰值检测或噪声抑制电路中。总体来看，RB088BM150TL凭借其高耐压、低VF、小尺寸和高可靠性，已成为众多现代电子设计中理想的通用型肖特基二极管选择。
RB520S-100T1G
RB520SM-100T1G
BAS40-04W
