时间：2025/11/7 21:13:24
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RB085BGE-40TL是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的表面贴装肖特基势垒二极管（SBD），采用双二极管结构，封装形式为CST3（即SMPC，类似SOD-123W的双单元封装）。该器件专为高效率、低功耗的电源应用设计，广泛应用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器电路以及极性保护等场合。其主要优势在于具备较低的正向导通压降（VF）和快速的反向恢复特性，能够有效降低功率损耗，提高系统整体效率。由于采用了先进的芯片制造工艺和封装技术，RB085BGE-40TL在高温工作环境下仍能保持稳定的电气性能，并具有良好的热稳定性和可靠性。
该器件的“BGE”后缀通常表示其为绿色环保产品，符合RoHS指令要求，不含铅（Pb）和其他有害物质，适用于对环保有严格要求的应用场景。而“-40TL”中的“40”代表额定反向重复电压为40V，“TL”则表明其为编带包装，适合自动化贴片生产流程。RB085BGE-40TL特别适用于便携式电子设备、通信设备、消费类电子产品以及工业控制设备中的电源管理模块。
型号：RB085BGE-40TL
类型：双肖特基势垒二极管
封装：CST3 (SMPC)
通道数：2
最大反向电压(VRRM)：40V
最大平均正向电流(IF(AV))：0.8A
峰值正向浪涌电流(IFSM)：15A
最大正向压降(VF)：0.57V @ 0.8A, Ta=25℃
最大反向漏电流(IR)：0.1μA @ 40V, Ta=25℃
反向恢复时间(trr)：典型值 < 5ns
工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围(Tstg)：-55℃ ~ +150℃
RB085BGE-40TL的核心特性之一是其低正向导通压降，在0.8A的工作电流下典型值仅为0.57V，这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗（Ploss = VF × IF），从而提高了电源转换效率，尤其在低输出电压、大电流的DC-DC转换器中表现突出。此外，由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件，不存在少子存储效应，因此具备极快的反向恢复速度，trr典型值小于5纳秒，远优于传统的PN结二极管。这使得该器件在高频开关应用中能够有效减少开关损耗和电磁干扰（EMI），避免因反向恢复电流引起的电压尖峰和能量浪费，提升了系统的稳定性和电磁兼容性。
该器件采用双二极管共阴极或独立配置（具体取决于内部连接方式），可在同步整流、电压钳位、续流保护等多种拓扑结构中灵活使用。其CST3小型化表面贴装封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，通过优化的引线框架设计实现高效的热传导，确保在高负载条件下结温不会迅速上升。同时，器件经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）和温度循环试验，保证了在恶劣环境下的长期稳定性。ROHM的先进制造工艺也确保了产品批次间的一致性，有利于大规模生产的质量控制。
RB085BGE-40TL的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，使其能够在极端温度环境下可靠运行，适用于汽车电子、工业自动化等对环境适应性要求较高的领域。其低漏电流特性（最大0.1μA@40V）进一步减少了待机或轻载时的能量损耗，有助于满足现代电子产品日益严苛的节能标准。综上所述，RB085BGE-40TL凭借其优异的电学性能、紧凑的封装尺寸和高可靠性，成为众多高效电源设计中的理想选择。
RB085BGE-40TL广泛应用于各类需要高效整流和快速响应的电子系统中。典型应用场景包括：开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流二极管，特别是在反激式（Flyback）和正激式（Forward）转换器中作为输出整流元件；在便携式设备如智能手机、平板电脑、笔记本电脑的DC-DC降压或升压电源模块中用于提高转换效率；在电池充电管理电路中作为防反接和充放电路径控制的隔离二极管；在太阳能微逆变器和LED驱动电源中实现能量回馈和电压钳位功能；在电机驱动和电磁阀控制电路中作为感性负载的续流二极管，以吸收关断瞬间产生的反电动势，保护主开关器件；此外，还可用于各类适配器、USB供电设备、无线充电板以及通信基站的辅助电源单元。由于其符合环保标准且支持自动化贴装，特别适合追求小型化、高集成度和绿色制造的现代电子产品设计。
RB085L-40TL
RB084BGE-40TL
SS14
SBM140ALT1G
MBR0840CT
